IRFHM9331TRPBF-HXY_DFN3x3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/40A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/15mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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描述: 這款高性能P溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用超緊湊DFN3X3-8L封裝，專為高功率密度和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。具備30V額定電壓及高達(dá)40A的連續(xù)電流處理能力，特別適用于電池保護(hù)、電源開關(guān)以及高效電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，提供卓越的能效表現(xiàn)與優(yōu)秀的熱管理性能，是現(xiàn)代小型化電子設(shè)備的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRFHM9331TRPBF-HXY_DFN3x3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/40A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/15mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/40A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/15mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢