TPH1R403NL-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/150A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/2.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，具有出色的功率密度。額定電壓30V，峰值電流高達(dá)150A，特別適用于空間受限且需要高效能開(kāi)關(guān)控制的電路設(shè)計(jì)，如電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

TPH1R403NL-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/150A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/2.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/150A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/2.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢