GBL610_GBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 這款GBL封裝整流橋器件，專為高效率電源轉換應用設計。具有1000V的高強度反向電壓額定值（VR），確保在嚴苛高壓環境下穩定工作。其特性在于3A電流下的正向壓降VF僅為1.1V，有效減少能耗并提升系統性能表現。器件具備出色的電流處理能力，最大連續輸出電流可達6A（IO），確保在中等至大電流應用場合下持續高效運作。適用于各類要求高電壓、高可靠性的電路設計，是您實現優質電源轉換的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBL610_GBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 175A 標價：歡迎咨詢