GBP310_GBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 3A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款GBP封裝整流橋器件，專為在高電壓環境下提供高效穩定的電源轉換而設計。擁有高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保了在嚴苛條件下仍能可靠運行。其獨特優勢在于，在2A工作電流下正向壓降VF低至1.1V，有效降低功耗并優化系統效率。盡管以低電流性能出色，該器件的最大連續輸出電流可達3A（IO），展現出良好的電流處理能力。適用于各類需要處理高電壓、中等電流的應用場景，是您電路設計的理想選擇，助力實現高性能與高穩定性的完美融合。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBP310_GBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 3A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 3A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢