GBP410_GBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 125A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款GBP封裝整流橋器件，專為高效穩定電源轉換打造。其擁有1000V的高反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下安全運行。在4A工作電流下，正向壓降VF低至1.1V，有效減少功率損耗并提升系統能效表現。同時，器件支持最大連續輸出電流4A（IO），提供卓越的電流處理能力及穩定性。適用于各類需要處理高電壓、中等電流的應用場景，是您電路設計的理想選擇，助您實現性能與可靠性的完美結合。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBP410_GBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 125A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 125A 標價：歡迎咨詢