GBU810_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款GBU封裝的高耐壓整流橋半導體器件，專為大電流、高效能應用場景設計。其核心參數包括VR最高耐受電壓1000V，確保在嚴苛高壓條件下仍能保持穩定運行；VF特性表現為1.1V@8A，在滿載8A電流下仍維持較低電壓降，顯著提升電源轉換效率并降低能耗；額定輸出電流IO高達8A，提供強大且持久的電力處理能力。廣泛應用于各類高端電源系統、逆變器及其他需要大電流處理的電子設備中，是提升整體性能與可靠性的優質之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU810_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢