GBU606_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 這款GBU封裝的高性能整流橋半導體器件，專為大電流、高效能應用打造。其關鍵特性包括VR耐壓高達600V，確保在常規電壓范圍內穩定運行；VF值低至1.05V@6A，即使在滿載電流6A時也能實現超低壓降，顯著提升電源轉換效率和節能效果；額定輸出電流IO為6A，提供強勁而穩定的電流處理能力。廣泛應用于各類中高端電源系統、逆變器及其他大電流電子設備中，是優化系統性能與可靠性的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU606_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢