GBU808_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數3：平均整流電流(Io): 8A 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

描述: 這款GBU封裝的整流橋器件，專為高效能電子系統設計。其卓越性能體現在800V的直流反向耐壓及8A的平均整流電流，確保在高電壓大電流環境下穩定工作。正向壓降低至1.1V@8A，有效降低功耗，提升系統效率。而反向電流僅為5uA@800V，展現出出色的阻斷性能，適用于各類需要高品質半導體器件的應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU808_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數3：平均整流電流(Io): 8A 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數3：平均整流電流(Io): 8A 標價：歡迎咨詢