KBJ1510_KBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBJ 類別：整流橋最小包裝：250盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 15A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 170A 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款采用KBJ封裝的高性能整流橋半導體器件，專為大電流、高效率應用設計。其關鍵特性包括VR耐壓高達1000V，確保在嚴苛電壓環(huán)境下穩(wěn)定運行；VF值低至1.05V@4A，即使在中等電流下也能實現(xiàn)超低壓降，顯著提升電源轉(zhuǎn)換效能與節(jié)能表現(xiàn)；額定輸出電流IO高達15A，提供強勁而持久的大電流處理能力。廣泛適用于各類高端電源系統(tǒng)以及逆變器中，是提升系統(tǒng)性能和可靠性的理想組件之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBJ1510_KBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBJ 類別：整流橋 最小包裝：250盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 15A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 170A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBJ 類別：整流橋最小包裝：250盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 15A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 170A 標價：歡迎咨詢