KBL610_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 此款半導體器件是一款采用KBL封裝技術的高耐壓整流橋，專為大電流、高效能應用場景設計。其核心參數包括VR最高耐受電壓1000V，確保在嚴苛高壓環境下也能保持穩定運行；VF特性表現為1.1V@6A，即使在6A滿載電流下，仍能維持超低壓降，極大提高能源轉換效率與節能效果；額定輸出電流IO達到6A，提供強勁且持久的電力處理能力。適用于各類高端電源系統、逆變器等大電流電子設備，是提升整體性能和可靠性的理想元件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBL610_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢