KBL606_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 此款半導體器件為KBL封裝的高性能整流橋，專為高電流、低損耗應用設計。其關鍵參數包括VR最大值600V，確保在中高壓環境下穩定工作；VF表現為1.1V@6A，意味著即使在滿載電流6A時，其壓降仍控制在極低水平，有效提高能效和降低熱損耗；額定輸出電流IO為6A，提供強大而持久的電力轉換性能。適用于各類電源供應、逆變器等大電流電子設備，是提升系統效能及可靠性的理想組件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBL606_KBL_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBL 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 200A 標價：歡迎咨詢