JSM2006G650V集自舉單相高低側同相電機驅動芯片
在電機驅動領域，芯片的穩定性、兼容性和性能直接影響設備的運行效率與壽命。杰盛微半導體自主研發的JSM2006G 650V 集自舉單相高低側同相電機驅動芯片，憑借優異的參數表現和廣泛的兼容性，成為替代 PT5606、KP85302 的理想選擇，為電機控制、家電、逆變器等場景提供高性價比解決方案。
深圳市杰盛微半導體有限公司
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JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅動芯片
在功率電子驅動領域，穩定可靠的柵極驅動芯片是電路高效運行的核心。如果你正在尋找 FD2203 的高性價比替代方案，杰盛微半導體推出的JSM2203STR絕對值得關注！這款 4A250V 集成自舉半橋高同低反柵極驅動芯片，不僅兼容 FD2203 的核心功能，更在性能、可靠性和應用靈活性上實現升級，為電機控制、逆變器、充電樁等場景提供強力支持。 -
JSM2008STR PBF250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅動芯片
在功率電子領域，半橋驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整個系統的穩定性、效率與可靠性。杰盛微半導體推出的JSM2008STR作為一款 250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅動芯片，不僅繼承了 IRS2008STR 的核心優勢，更在兼容性與實用性上實現了無縫替代，成為高壓 MOSFET 驅動場景的理想選擇。本文將基于數據手冊，從性能特性、電氣規格、設計要點到應用場景進行全面解析。 -
JSM2003STR250V單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片
在電力電子領域，功率驅動芯片猶如 “神經中樞”，直接決定著功率器件的開關效率、系統穩定性與安全可靠性。隨著電機控制、智能家電、逆變器等領域對高性能驅動芯片的需求激增，一款能兼容經典型號、且在性能上實現突破的驅動芯片，成為工程師們的迫切需求。 杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半導體領域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片，不僅完美替代 TF2003M、IRS2003 等經典型號，更在可靠性、效率與適配性上實現全面升級，為工業與消費電子領域提供了更優解。 -
JSM5109G1.2A 250V單相高低側同相柵極驅動芯片
在電機控制、逆變器等電力電子系統中，柵極驅動芯片就像 “神經中樞”，負責精準控制功率 MOSFET 的開關狀態。選對驅動芯片，系統效率能提升 15% 以上，故障率降低 30%；選錯了，則可能面臨頻繁宕機、功耗飆升等問題。 今天，杰盛微要給大家推薦一款 “全能選手”JSM5109G。作為 1.2A 250V 單相高低側同相柵極驅動芯片，它不僅能完美替代 U3116S、EG2132，更在性能、可靠性、兼容性上實現了 “越級” 表現。 -
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