國產光刻膠大進步：90-28nm已支持存儲芯片、邏輯芯片

眾所周知，在芯片的制造過程中，需要的設備、材料非常多。其中像光刻機、光刻膠都是當前嚴重卡脖子的產品。

拿光刻膠來說，分為5種，分別是g線、i線、KrF、ArF、EUV。其中g線、i線主要用于250nm以上工藝，國內的自給率約為20％。

KrF一般用于250nm－130nm工藝，國內的自給率約為5％，ArF一般用于130nm－14nm，2021年之前國內就無法生產，主要靠進口，至于EUV光刻膠主要用于7nm及以下工藝，就更加不用說了，完全靠進口。

不過從去年開始，國內幾大光刻膠廠商在光刻膠上面有了較大的進步，已經研發出了ArF光刻膠，比如南大光電等，去年下半年時表示已經用于50nm制程的存儲芯片上，通過了客戶驗證。

而近日，南大光電表示，旗下用于90nm－28nm制程的ArF光刻膠已分別通過存儲芯片制造和邏輯芯片制造企業驗證。

意思是其研發的ArF光刻膠，已經可以用于最高工藝為28nm的存儲芯片和邏輯芯片了，畢竟驗證通過后，就可以出貨給客戶了。

南大光電甚至表示，其中一家客戶從去年8月份起，就一直正常購買公司的光刻膠產品，只是因為是客制化產品，暫未形成規模銷售。

對此，不知道大家怎么看？光刻膠作為芯片制造中必不可少的材料，用量雖然少，但非常重要，沒有其它替代品，之前一直被日本廠商壟斷著，韓國都曾被卡住了脖子。

如今中國廠商能夠推出用于28nm的ArF光刻膠，真的是一個重大進步，相信接下來繼續推進，達到14nm也不會太難了。

也希望整個國產半導體產業鏈，也能夠像光刻膠一樣，先進推進到28nm，再推進到14nm，那樣也就沒有太多擔心的了，畢竟搞定14nm，就能夠生產全球至少80％的芯片了。