臺積電：2nm芯片將于2025年投產 首次使用GAA技術

第一季度財報電話會議上，臺積電報告稱正全力以赴地開發下一代工藝節點。這家半導體巨頭計劃在今年晚些時候將投產首批 3 納米工藝，并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準備。

 

在本次電話會議上，高盛公司的分析師 Bruce Lee 向臺積電首席執行官魏哲家（C.C. Wei）詢問了 2 個問題。第 1 個問題是關于通貨膨脹和整個經濟，魏哲家回答說，臺積電作為全球領先的代工企業，有能力應對市場的波動。

第 2 個問題則是詢問了 2 納米節點的時間表。魏哲家表示：“我們的 N2 開發正在進行中。......我們有信心，N2將繼續保持我們的技術領先地位，支持客戶的增長。而且我們仍然計劃在2025年投產。預生產將在 2024 年開始”。

據悉，在 N2 上臺積電首次使用 GAA FET(全環繞柵極晶體管)，逐漸取代 finFET (鰭式場效應晶體管)。三星已經開始使用他們版本的GAA，英特爾計劃在2024年實施他們的版本。一位分析師向魏哲家詢問此事，但他避而不答。

 

今年下半年，臺積電將把N3工藝投入生產。一年后，或者可能更早，它將準備將N3E工藝投入生產，這是N3的"增強性能、功率和產量"版本。

臺積電預測，HPC（高性能計算）將是其今年增長最快的領域。上一季度HPC產生了41%的收入，僅比智能手機產生的40%略高。物聯網和汽車排在第三和第四位，分別創造了8%和5%的收入。