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              三星有點慌?4nm芯片良率35%,3nm良率僅10%-20%

              2022-04-21 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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              關鍵詞: 三星 高通

              眾所周知,當前在晶圓代工上,只有三星能夠與TSMC競爭一下了。但事實上,從市場份額來看,兩者相差還非常大的,TSMC的份額有55%左右,而三星只有20%左右。

              三星唯一拿得出手競爭的,其實是自己摻了點水份的工藝,似乎與TSMC不相上下,同時進入5nm,再進入4nm,再進入3nm,甚至在3nm上,三星還要采用GAAFET技術,比TSMC的FinFET技術更先進。

              之前三星已經(jīng)獲得了高通的支持,高通將自己的5nm芯片驍龍888、4nm芯片8Gen1都交給三星代工。

              所以三星信心滿滿,要在3nm時想辦法追上并超過TSMC,未來成為晶圓代工的龍頭,打敗TSMC。

              不過4nm工藝開局不利,三星幫高通代的驍龍8Gen1,表現(xiàn)不給力。更重要的是外界傳聞三星4nm工藝的良率只有35%左右。

              也就是說晶圓制造成芯片,只有三分之一是可用的,另外的三分之二是殘次品,導致三星產(chǎn)能低、效率慢,高通都受不了了,要轉(zhuǎn)單TSMC,生產(chǎn)另外一批8Gen1。

              而近日,媒體PhoneArena報道,不僅4nm良率低,三星在試產(chǎn)的3nm良率更是低到離譜。

              按照PhoneArena的說法,三星代工廠早期的3nm良率一直在10%至20%之間,比4nm那35%的良率糟糕多了。

              為何3nm良率這么低,原因是三星在3nm時,采用全環(huán)柵極晶體管架構(gòu)(GAAFET),這是業(yè)界首次采用這種技術,三星也是第一次。

              相比于之前從14nm工藝就使用的FinFET晶體管,三星也是完全沒經(jīng)驗,再加上本來就難度大,所以導致良率低。

              三星肯定目前在大力提升良率,要知道10-20%的良率,根本沒法批量生產(chǎn),會導致成本大增,同時產(chǎn)能大降,畢竟10塊芯片中,才1-2顆可用,其它的8、9顆都是壞的,你說成本會高到哪里去?只怕生產(chǎn)出來,價格貴到消費者都用不起啊。



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