德智新材2.5億元半導體用碳化硅蝕刻環項目預計明年投產

株洲高新區消息顯示，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產。

據悉，德智新材料半導體用碳化硅蝕刻環項目總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環的研發、制造，投產后年產值超1億元。

SiC刻蝕環是半導體材料在等離子刻蝕環節中的關鍵耗材。SiC刻蝕環對純度要求極高，只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環節。

湖南德智新材料有限公司是一家專業從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復合材料研發，生產和銷售的高新技術企業。