新思科技針對臺積電N6RF制程推RF設計流程，強化5G SoC開發效率
為因應日益復雜的RFIC 設計要求，新思科技(Synopsys) 近日宣布針對臺積電N6RF 制程推出最新的RF 設計流程，此乃新思科技與安矽斯科技(Ansys) 和是德科技(Keysight) 共同開發的最先進RF CMOS 技術，可大幅提升效能與功耗效率。該流程可協助其共同客戶實現5G 晶片的功耗與效能優化，同時加速設計效率，從而加快產品的上市時程。
臺積電設計建構管理處副總經理Suk Lee 表示，臺積電與新思科技近期的合作著重于新一代無線系統的挑戰，讓設計人員能夠為越來越互聯的世界提供更好的連接、更高的頻寬、更低的延遲(latency) 以及更廣的覆蓋范圍(coverage)。有了來自新思科技、安矽斯科技與是德科技緊密整合的高品質解決方案，臺積電全新的針對N6RF 制程的設計參考流程提供了一個現代且開放的方法，能提升復雜IC 開發的生產效率。
由于互聯世界的需求，用于收發器 (transceiver) 和 RF 前端元件 (front-end component) 等無線資料傳輸系統的RFIC 變得日趨複雜。這些新一代無線系統有望在更多連接的裝置上提供更高的頻寬、更低的延遲以及更廣的覆蓋范圍。為了確保 RFIC 能夠滿足這些要求，設計人員必須準確地衡量 RF 的效能、頻譜 (spectrum)、波長和頻寬等參數。
新的RF 設計參考流程采用領先業界的電路模擬、布局生產效率以及精確的電磁(EM) 建模和電子遷移/IR 壓降(electromigration/IR-drop EMIR) 分析，可縮短設計周轉時間(turnaround time)。該流程包括了新思科技的Custom Compiler 設計和布局產品、PrimeSim 電路模擬產品、StarRC 寄生萃取簽核(parasitic extraction signoff) 產品與IC Validator 物理驗證產品，以及安矽斯科技的VeloceRF 電感元件(inductive component) 與傳輸線合成產品、先進的納米電磁(EM) 分析產品RaptorX 和RaptorH，以及Totem-SC，此外，還有是德科技用于EM 模擬的PathWave RFPro。
新思科技工程副總裁Aveek Sarkar 說，為了實現5G 設計的關鍵差異化優勢，新思科技持續帶來強大的RF 設計解決方案，其整合了電磁合成(electromagnetic synthesis)、萃取、設計、布局、簽核技術和模擬工作流程。由于新斯科技與臺積電的深入合作，加上與安矽斯科技和是德科技的堅實關系，因此客戶得以使用新思客制化設計系列的先進功能，運用臺積公司針對5G 應用的先進N6RF 技術，提高生產力并實現矽晶成功。
