傳三星搶先于臺(tái)積電，將在下周量產(chǎn)3nm工藝

過(guò)去幾個(gè)月里，三星的晶圓代工業(yè)務(wù)一直處在風(fēng)暴的中心。今年初先是傳出三星電子管理層決定針對(duì)半導(dǎo)體工藝的相關(guān)問(wèn)題展開調(diào)查，接著又爆出了員工泄密事件，隨后先進(jìn)制程的良品率和效能問(wèn)題，導(dǎo)致高通和英偉達(dá)將新品訂單轉(zhuǎn)向臺(tái)積電（TSMC），近期的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，由于訂單流失，三星成為排名前十代工廠中唯一負(fù)增長(zhǎng)企業(yè)。

最近三星的實(shí)際負(fù)責(zé)人李在镕前往歐洲，其中一項(xiàng)日程就是前往荷蘭的ASML，商討雙方未來(lái)的合作，以獲得更多的極紫外（EUV）光刻機(jī)。據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，預(yù)計(jì)三星將會(huì)在下周宣布3nm工藝量產(chǎn)，在新一代制程工藝的生產(chǎn)時(shí)間上搶先于臺(tái)積電。

三星將在3nm制程節(jié)點(diǎn)引入了全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管工藝，與現(xiàn)有的FinFET相比，可實(shí)現(xiàn)30%的性能提升、50%的功耗降低、以及減少45%的面積。相比之下，臺(tái)積電的N3制程節(jié)點(diǎn)仍將使用FinFET，不過(guò)會(huì)引入FINFLEX技術(shù)，量產(chǎn)時(shí)間將會(huì)在今年下半年，有傳言稱是8月份。

在月初的歐洲之行結(jié)束后，李在镕就表示：

“第一是技術(shù)，第二是技術(shù)，第三也是技術(shù)。”

雖然三星已下定決心投入更多資金用于先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)，以求在未來(lái)數(shù)年內(nèi)趕超臺(tái)積電，不過(guò)前路依舊困難重重。多個(gè)消息渠道表明，即便三星搶先量產(chǎn)3nm工藝，也面臨缺乏客戶訂單的窘?jīng)r。Business Korea稱，三星將會(huì)在2025年量產(chǎn)2nm工藝，在下一代半導(dǎo)體工藝上與臺(tái)積電仍保持同步。