三星首批3nm Gate-All-Around芯片正式出貨

據外媒7月26日報道，據悉，三星于6月份正式開始使用3nm Gate-All-Around (GAA）工藝制造芯片。今日，三星宣布其此類芯片正式出貨。

外媒援引三星官方配圖

三星電子于2000年初開始研究GAA晶體管，并于2017年對該設計進行試驗。現在它已準備好使用新工藝大規模生產芯片。與多年來一直是標準的FinFET設計相比，Gate-All-Around 設計允許晶體管在保持相對較小的同時承載更多電流。

據三星稱，與類似的5nm FinFET芯片相比，3nm GAA芯片的功耗將降低45%，速度提高23%，體積縮小16%。這是針對第一代GAA的流程。此外，三星還表示Gen 2將進一步改進這些指標。但是，三星并沒有說明第一批出貨的芯片是什么類型的，但該公司確實計劃開發使用 3nm GAA設計的智能手機芯片組。

另據韓國商業報道，近日，一位在蘋果工作了9年的芯片專家離開了公司，加入了競爭對手三星。報道稱，這位名叫Kim Woo-Pyeong的員工在前幾年為德州儀器和高通公司工作后，自2014年以來一直在蘋果公司工作。在三星，Kim將擔任該公司新包裝解決方案中心的主管。

蘋果和三星之間的競爭依然激烈，兩家公司繼續在智能手機、智能手表以及AirPods和 Galaxy Buds等配件領域爭奪客戶。鑒于兩家公司之間的合作和競爭關系，有媒體報道稱三星從蘋果公司的最新招聘“有些不同尋?！?。盡管存在競爭，三星和蘋果還是合作，尤其是在OLED顯示器方面。