SK海力士擬年內(nèi)試產(chǎn)238層NAND閃存

SK海力士在近日舉行的二季度財報電話會議上透露，計劃在年內(nèi)完成238層NAND試產(chǎn)，并在2023年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

針對美光近期量產(chǎn)232層NAND的動態(tài)，海力士方面表示各家廠商產(chǎn)品發(fā)布節(jié)奏不同，存儲市場目前應專注于提高盈利能力，海力士的目標是實現(xiàn)行業(yè)最高水平的盈利能力。

公司方面還表示，計劃今年年底實現(xiàn)主力產(chǎn)品176層4D NAND以晶圓形式出貨占比70%，以進一步提升毛利率。

針對DRAM市場行情，海力士方面表示，盡管目前DRAM的平均售價（ASP）走低，但成本下降足以彌補ASP變化，公司方面預計今年DRAM出貨量將增加約10%，NAND閃存出貨量增加20%。