重慶萬國造出自研自產 IGBT 元件，預計今年內實現量產
據重慶日報報道，重慶萬國半導體科技有限公司 (以下簡稱“重慶萬國”) 已成功造出西南地區首顆獨立開發、設計并自行完成晶圓制造與封裝測試的 IGBT 元件。目前該 IGBT 元件通過用戶試用，預計今年年內實現量產。 (IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極型晶體管）
據悉，重慶萬國在今年年初啟動 IGBT 元件項目研發，該元件具有飽和壓降低，開關損耗小，電流短路能力強等特點，可用于消費電器與工業電器的動能轉換。
重慶萬國市場資深經理李仁果介紹，在過去 12 個月的出貨量中，重慶萬國做到每 10 億顆芯片中，不良率只有 3 顆。
目前，重慶萬國已啟動上市計劃，并已引入京東方等行業頭部企業或專業投資機構作為戰略投資人。下一步，重慶萬國將進一步加快半導體芯片及半導體芯片封裝的設計、制造、銷售，不斷推出創新產品。
百科知識
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS 不間斷電源等設備上。
IGBT 模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。
