消息稱 SK 海力士正開發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存

8 月 16 日消息，據(jù)外媒 THELEC 今日報道，半導(dǎo)體業(yè)界人士透露，SK 海力士計劃最早明年上半年量產(chǎn)采用 238 層 NAND（V8）的最新 UFS 4.0 閃存。

根據(jù) SK 海力士制定的 UFS 4.0 內(nèi)存開發(fā)計劃，其將在 UFS 4.0 閃存上主要搭載 V7 和 V8 NAND，其中 V8 是 SK 海力士開發(fā)的世界上首個 238 層 NAND 閃存，與 176 層 NAND（ V7 ）相比能源消耗減少了 21%。其采用了 4D 封裝技術(shù)，與 3D 封裝相比，前者在減少單位單元面積的同時，生產(chǎn)效率也更高。

THELEC 還透露了 SK 海力士正在開發(fā)的 UFS 4.0 閃存的數(shù)據(jù)處理速度：連續(xù)讀取 4000 MB/s，連續(xù)寫入 2800 MB/s。外形規(guī)格為 11×13×0.8mm。僅從速度來看，現(xiàn)在曝光的速度可能只搭載了 V7 NAND。

作為對比，三星在 5 月 4 日首發(fā)的 UFS 4.0 的閃存采用的是 176 層 NAND（V7），連續(xù)讀取 4200 MB/s，連續(xù)寫入 2800 MB/s，外形規(guī)格為 11×13×1mm。

此前有消息稱 SK 海力士 238 層 NAND 閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度為 2.4Gbps，相比前一代產(chǎn)品提高了 50%，現(xiàn)在來看還未應(yīng)用到 UFS 4.0 中。

▲ SK 海力士開發(fā)的 238 層 512GB TLC 4D NAND 閃存

據(jù) THELEC 稱，目前，SK 海力士已經(jīng)向主要客戶公司供應(yīng)了 238 層 NAND 樣品，計劃明年上半年量產(chǎn)，因此，搭載 V8 NAND 的 UFS 4.0 內(nèi)存也有望最早從明年上半年開始批量生產(chǎn)。

UFS 4.0 閃存是是今年 5 月正式批準的最新標準，其數(shù)據(jù)傳輸帶寬為 23.2 Gbps，是之前 UFS 3.1 的兩倍，帶寬越大，數(shù)據(jù)處理速度就越快。