緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存

據(jù) BusinessKorea 報道，三星電子將在今年內(nèi)發(fā)布 236 層 NAND 閃存產(chǎn)品。此外，它還計劃在本月開設(shè)一個新的研發(fā)中心，負責更先進 NAND 閃存產(chǎn)品的開發(fā)。

 

當前，存儲芯片制造商正在競相增加其產(chǎn)品層數(shù)。SK 海力士最近完成了 238 層產(chǎn)品的開發(fā)，美光科技宣布開發(fā)出全球首款 232 層 NAND 閃存產(chǎn)品。

在 NAND 閃存市場，三星電子的市場份額占了 35%，為全球最高。不過，三星電子目前的層數(shù)記錄只為 176 層。韓媒指出，三星正準備將憑借其生產(chǎn)技術(shù)和價格和性能的競爭力將其增加 60 層。

外媒透露，SK 海力士正在開發(fā)的 UFS 4.0 閃存的數(shù)據(jù)處理速度：連續(xù)讀取 4000 MB/s，連續(xù)寫入 2800 MB/s。外形規(guī)格為 11×13×0.8mm。僅從速度來看，現(xiàn)在曝光的速度可能只搭載了 V7 NAND。

作為對比，三星在 5 月 4 日首發(fā)的 UFS 4.0 的閃存采用的是 176 層 NAND（V7），連續(xù)讀取 4200 MB/s，連續(xù)寫入 2800 MB/s，外形規(guī)格為 11×13×1mm。