國產光刻機，僅達到90nm，已成芯片制造的最大短板了

眾所周知，中國大陸的芯片產業要發展，與臺灣省、與韓國、與日本、歐洲、美國等國家和地區的情況都不一樣，復雜很多。

像臺灣省、韓國、日本等地，要發展芯片產業，是整合全球的供應鏈，買最先進的產品，再整合起來就行，真正的全球一體化。

但中國大陸要發展芯片產業，全球一體化只是想一想而已，需要的是全國產產業鏈的崛起，因為美國一直想方設法的卡著我們發展芯片產業的“脖子”，特別是一些先進的設備，就不允許賣到中國大陸來，全球一體化實現不了。

所以一直以來，國產芯片供應鏈都是在負重前行，先解決從0到1的問題，再從1慢慢發展到10，最終達到全球頂尖水平，與國際巨頭扳手腕。

那么問題來了，當前國產半導體設備中，技術最先進的是哪一種，技術相對最落后的又是哪一種呢？

上圖這張圖，其實說得非常明白了。刻蝕機應該是當前國產半導體設備中，唯一達到國際先進水平的，已經達到了5nm。

這家公司就是中微公司，其生產的刻蝕機，早就實現了5nm，被臺積電、中芯等晶圓廠使用。

事實上，刻蝕機之前也是被美國禁運的，但隨著中微公司的先進刻蝕機后，禁運也就沒意義了，于是放開了市場，中國廠商可以隨便買。

而技術相對落后的則是光刻機了，目前上海微電子生產的光刻機，其標注的精度還在90nm。而ASML的光刻機，已經能夠生產3nm的芯片了，這中間的差距還是相當大的。

也正因為光刻機技術差距大，所以目前光刻機是禁運的，比如EUV光刻機美國就不準ASML賣到中國大陸來，為的就是阻止我們進入到7nm。

前段時間還傳出美國要對14nm及以下的設備下手，實行禁運，原因就是國內的設備，能夠實現14nm以下節點不多，更多的還處于14nm、28nm階段。

可見，光刻機已經成為了當前我們制造芯片的最大短板了，所以國產光刻機真的要努力才行，不說實現5nm，先實現28nm，再搞定14nm，先實現與其它國產半導體設備一個節點才行，你覺得呢？

而只要國產半導體設備有了突破，達到先進水平，禁運也就沒有了任何意義，也就會全面放開了，刻蝕機就是最好的例子。