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              拜登親自站臺(tái)2nm!全球最大芯片基地啟動(dòng)!10月起,中國(guó)又要警惕了!

              2022-09-15 來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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              關(guān)鍵詞: 晶圓 臺(tái)積電 集成電路 英特爾

              拜登親自站臺(tái)2納米!

              200億美元地球最大硅制造基地啟動(dòng),

              英特爾要逆襲三星臺(tái)積電?


              來源:新智元





              在美國(guó)2800億美元的「芯片與科學(xué)法案」通過一個(gè)多月之后,英特爾計(jì)劃已久的俄亥俄州200億美元的芯片工廠終于正式破土動(dòng)工。


              作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)回歸美國(guó)本土的標(biāo)志性事件,總統(tǒng)拜登親臨工地現(xiàn)場(chǎng)出席動(dòng)工儀式,并表示祝賀。



              此前,由于芯片法案推進(jìn)不順利,英特爾不久前宣布推遲計(jì)劃舉行的動(dòng)工奠基儀式,原計(jì)劃該儀式于7月底舉行。


              英特爾稱,本次奠基儀式啟動(dòng)了「地球上最大的硅制造基地」的建設(shè)。未來10年,英特爾計(jì)劃在俄亥俄州投資1000億美元。


              該公司表示,建廠計(jì)劃需要7000多名工人,預(yù)計(jì)將容納兩個(gè)獨(dú)立的工廠,一旦完工,將雇用3000名工人。


              英特爾之前推遲了該工廠7月的奠基儀式,因?yàn)槠溆?jì)劃主要依賴于「芯片法案」的資金,而國(guó)會(huì)尚未通過該法案。


              但是,經(jīng)過一個(gè)夏天的談判,拜登在上個(gè)月簽署了2800億美元的「芯片與科學(xué)法案」,稱其為「對(duì)美國(guó)一代人的投資」。


              兩黨達(dá)成協(xié)議,以促進(jìn)美國(guó)的創(chuàng)新,希望在全球半導(dǎo)體短缺之后保護(hù)美國(guó)的經(jīng)濟(jì)和國(guó)家安全利益。


              始于2020年的新冠大流行使全球芯片供應(yīng)鏈斷裂,使設(shè)備制造商更難以為產(chǎn)品采購(gòu)半導(dǎo)體。與此同時(shí),由于辦公室關(guān)閉,人們開始在家工作,對(duì)這些商品的需求激增。


              拜登在開工儀式現(xiàn)場(chǎng)表示:


              「正如我們?cè)诖罅餍衅陂g看到的那樣,當(dāng)制造這些芯片的工廠關(guān)閉時(shí),芯片就會(huì)停產(chǎn)。全球經(jīng)濟(jì)就會(huì)停滯不前,我們需要在美國(guó)本土制造這些芯片,以降低日常成本并創(chuàng)造良好的就業(yè)機(jī)會(huì)。」



              英特爾CEO帕特·蓋爾辛格與拜登一起參加了這個(gè)儀式,他說,這座工廠的動(dòng)工,標(biāo)志著「鐵銹帶」時(shí)代的結(jié)束和「硅心帶」的開始。


              鐵銹帶是對(duì)美國(guó)自上世紀(jì)80年代起傳統(tǒng)重工業(yè)衰退的一片地區(qū)的非正式稱呼。

              這一地帶始于紐約州中部,向西橫穿賓夕法尼亞州、俄亥俄州、印第安納州,止于伊利諾伊州北部、艾奧瓦州東部和威斯康星州東南。


              自20世紀(jì)中葉以來,由于多種經(jīng)濟(jì)因素,例如制造業(yè)向海外轉(zhuǎn)移、自動(dòng)化程度提高以及美國(guó)鋼鐵和煤炭工業(yè)衰退,這片曾被稱為美國(guó)工業(yè)心臟地帶的地區(qū)內(nèi),工業(yè)比重一直在下降。



              在該法案通過后,其他大型芯片制造商已經(jīng)宣布了在美國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造廠的建設(shè)計(jì)劃。


              本月早些時(shí)候,美國(guó)另一個(gè)主要芯片制造商美光公司表示,將投資150億美元在愛達(dá)荷州建立一個(gè)新工廠。



              最近,電源芯片制造商Wolfspeed也宣布投資50億美元在北卡羅來納州建立一個(gè)新的半導(dǎo)體工廠,以生產(chǎn)用于為電動(dòng)汽車等設(shè)備提供動(dòng)力的芯片原材料,以應(yīng)對(duì)需求激增的情況。



              「今天,我們?cè)谝粋€(gè)每個(gè)俄亥俄人都可以感到自豪的未來破土動(dòng)工,這項(xiàng)數(shù)十億美元的投資是聯(lián)邦、州和私營(yíng)部門領(lǐng)導(dǎo)人之間前所未有的合作的高潮,它將改變俄亥俄州的經(jīng)濟(jì),并為后代提供機(jī)會(huì),在這里實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的中產(chǎn)生活。」俄亥俄州參議員候選人Tim Ryan表示。



              拜登總統(tǒng)周五在動(dòng)工儀式上表示,英特爾將在俄亥俄州這里建立未來的勞動(dòng)力。


              「現(xiàn)在是埋葬「銹帶」標(biāo)簽的時(shí)候了,俄亥俄制造和美國(guó)制造不再僅僅是一個(gè)口號(hào)。我們需要在美國(guó)本土生產(chǎn)這些芯片。芯片行業(yè)的未來將是美國(guó)制造。」拜登說。


              拯救摩爾定律,要靠納米級(jí)芯片?

              按照摩爾定律,集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔兩年便會(huì)增加一倍。

              然而近年來,一些業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,摩爾定律將不再適用了。


              根據(jù)中國(guó)工程院院刊的資料,目前,普遍采用的晶體管結(jié)構(gòu),是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)。這套工藝也是英特爾此前一直采用的。


              雖然,F(xiàn)inFET工藝從22納米制程之后一直到5納米制程,一直是半導(dǎo)體的主流工藝架構(gòu)。但在尺寸上已逼近物理極限,無法進(jìn)一步縮小。


              在FinFET中,當(dāng)晶體管尺寸變小時(shí),F(xiàn)inFET柵極就無法完全關(guān)閉電流。即使晶體管處于「關(guān)閉」?fàn)顟B(tài),電子仍會(huì)繼續(xù)滲入通道,不但浪費(fèi)電能,而且還會(huì)產(chǎn)生熱量。


              而納米級(jí)芯片克服了這些障礙,使晶體管能進(jìn)一步縮小,并提高了晶體管的密度。


              圖:納米級(jí)芯片晶體管示意圖


              納米級(jí)芯片還為設(shè)計(jì)提供了更大的靈活空間,讓芯片制造商能夠通過調(diào)整芯片的寬度來微調(diào)晶體管的性能和功耗。


              而且,納米級(jí)芯片的制程越高,同樣面積所能容納的晶體管數(shù)量越多,芯片性能就越高。


              比如,IBM的研究出的2納米制程的芯片,與7納米制程的芯片相比,其運(yùn)算速度快45%,能效可提高75%。


              據(jù)業(yè)內(nèi)人士的分析,英特爾新建的兩家晶圓廠,在2025年投入生產(chǎn)時(shí),工藝水平上可以量產(chǎn)20A及18A兩代工藝。


              據(jù)英特爾方面說,20A和18A是全球首個(gè)達(dá)到埃米級(jí)的芯片工藝,相當(dāng)于其他芯片制造商的2納米、1.8納米工藝。


              這也是為何英特爾躊躇滿志地預(yù)測(cè),新工藝將會(huì)讓英特爾重新回到半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者地位。


              英特爾真能「彎道超車」嗎?

              通常來說,納米級(jí)芯片的從研發(fā)到投入使用之間,會(huì)經(jīng)歷很長(zhǎng)的時(shí)間。就拿2納米芯片來說,早在2014年,就有相關(guān)研究論文發(fā)表。到2016年,2納米的技術(shù)路線就開始明確了。


              2017年,IBM研究院展示了2納米技術(shù)的可行性。


              2021年,IBM發(fā)布了全球首顆2納米制程的芯片。



              而全球第一家宣布啟動(dòng)2納米工藝研發(fā)的代工廠——臺(tái)積電,預(yù)計(jì)于2025年才能實(shí)現(xiàn)2納米芯片的量產(chǎn)。


              而且越是高制程芯片,研發(fā)越艱難,能參與的玩家就越少。


              進(jìn)入10納米制程之后,全球半導(dǎo)體代工廠僅剩臺(tái)積電、三星和英特爾三家。


              而在7納米制程之后,全球范圍內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)者就剩下臺(tái)積電和三星。


              這是不是意味著,英特爾掌握了1.8納米工藝,就可以重回行業(yè)老大的位置呢?

              這真不一定。


              首先,各大廠商所說的2納米、3納米的概念,其實(shí)是每個(gè)廠商根據(jù)自身的參數(shù)定義的制程概念。


              以驍龍為例,三星用4納米工藝代工了驍龍8,結(jié)果功耗表現(xiàn)不盡如人意。



              之后高通切換到了臺(tái)積電4納米工藝,驍龍8+的CPU及GPU能效提升了30%之多,差別很明顯。


              所以,同樣是一個(gè)納米級(jí)別的芯片,性能可能差別很大。更何況,很多時(shí)候,先進(jìn)制程是芯片制造商的宣傳手段。


              其次,目前半導(dǎo)電制造行業(yè)的老大,在先進(jìn)制程上跑得并不慢。


              根據(jù)財(cái)經(jīng)十一人的資料,臺(tái)積電的研發(fā)投入基本在穩(wěn)步上升,研發(fā)增速基本上每2到3年就會(huì)有一個(gè)高點(diǎn),這與其進(jìn)入下一個(gè)制程的量產(chǎn)有關(guān)。


              例如在2020年,臺(tái)積電的研發(fā)增速?gòu)?019年的8.91%一下子上升到27.59%,那一年臺(tái)積電計(jì)劃量產(chǎn)5納米工藝,并全面使用EUV。



              最后,就算技術(shù)上領(lǐng)先了,率先量產(chǎn)了,不一定代表未來發(fā)展得好。在半導(dǎo)體行業(yè),這一點(diǎn)尤為明顯。


              因?yàn)橄冗M(jìn)技術(shù)不是目的,用先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)出可靠的產(chǎn)品才是目的。


              正如很多半導(dǎo)體的業(yè)內(nèi)人士所說,「良率是關(guān)鍵」。


              制程越先進(jìn),光罩張數(shù)及工藝復(fù)雜度就越會(huì)顯著升高,良率的提升就越難。


              雖然技術(shù)、工藝、設(shè)備的革新,讓預(yù)測(cè)誰能笑到最后,變成一件很難的事,但從產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì)來看,擁有最長(zhǎng)代工歷史的臺(tái)積電,其優(yōu)勢(shì)沒那么容易被顛覆。


              因?yàn)樵酵冗M(jìn)制程走,就越不是一家或幾家企業(yè)能完成的,就需要更多全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)作與配合才能實(shí)現(xiàn)。


              目前,蘋果、AMD、NVIDIA及高通、聯(lián)發(fā)科等公司依然選擇臺(tái)積電工藝代工,那么,在未來相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間里,臺(tái)積電行業(yè)老大的位置,恐怕還能繼續(xù)坐下去。



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