機(jī)構(gòu)：存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)下行周期將持續(xù)至2025年

據(jù)韓媒報(bào)道，在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上，IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。

Kim Su-gyeom表示，今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕，預(yù)計(jì)來(lái)年三季度DRAM和NAND市場(chǎng)都將出現(xiàn)暫時(shí)反彈，不過(guò)需求增速預(yù)期將分別從此前17%、30%下修至10%、19%，其后市場(chǎng)將再度逐步下行，總體規(guī)模萎縮，直至2026年后迎來(lái)拐點(diǎn)。

Tech Insights研究員Jeongdong Choi在同一活動(dòng)上分享了其對(duì)存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)的判斷，他指出，三星電子的DRAM技術(shù)之前領(lǐng)先于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但從2020年1z（15nm 級(jí)）DRAM開始，三家主要存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司的技術(shù)幾乎達(dá)到同步，“隨著DRAM密度不斷提升的嘗試，2025年將開發(fā)1c（11~12nm）DRAM，2029年左右我們將進(jìn)入個(gè)位數(shù)nm級(jí)DRAM時(shí)代。”

關(guān)于NAND，Choi表示各大廠商正在開發(fā)400-500層堆疊產(chǎn)品，800層堆疊技術(shù)將在8-9年內(nèi)發(fā)展。因此，必須引入先進(jìn)的封裝工藝技術(shù)。