臺(tái)積電將稱霸晶圓代工5年 3D封裝是未來新挑戰(zhàn)

    臺(tái)積電5nm下半年將強(qiáng)勁成長，3nm預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)，并已研發(fā)2nm，工研院產(chǎn)科國際所研究總監(jiān)楊瑞臨認(rèn)為，臺(tái)積電制程5年內(nèi)將稱霸晶圓代工業(yè)，3D封裝是新挑戰(zhàn)。

    全球芯片巨擘英特爾（Intel）7nm制程進(jìn)度延遲，并可能釋出委外代工訂單；同時(shí)，手機(jī)芯片廠高通（Qualcomm）也傳出5nm處理器可能自三星（Samsung）轉(zhuǎn)由臺(tái)積電代工生產(chǎn)，讓臺(tái)積電制程領(lǐng)先地位成為市場近期關(guān)注焦點(diǎn)。 

    臺(tái)積電繼7nm制程于2018年領(lǐng)先量產(chǎn)，并在強(qiáng)效版7nm制程搶先導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)，5nm制程在今年持續(xù)領(lǐng)先量產(chǎn)，下半年將強(qiáng)勁成長，貢獻(xiàn)全年約8%業(yè)績。

    臺(tái)積電3nm制程技術(shù)開發(fā)順利，將沿用鰭式場效電晶體（FinFET）技術(shù)，預(yù)計(jì)2022年下半年量產(chǎn)，臺(tái)積電有信心3nm制程屆時(shí)仍將是半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)。

    為確保制程技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先，臺(tái)積電2019年已領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研發(fā)2nm制程技術(shù)，臺(tái)積電目前尚未宣布量產(chǎn)時(shí)間，不過，依臺(tái)積電每2年推進(jìn)一個(gè)世代制程技術(shù)推算，2nm可望于2024年量產(chǎn)。

    楊瑞臨分析，盡管臺(tái)積電2nm制程將自過去的FinFET技術(shù)，改采環(huán)繞閘極（GAA）技術(shù)，臺(tái)積電2nm制程仍可望維持領(lǐng)先地位，以目前情況看來，臺(tái)積電制程技術(shù)將再稱霸晶圓代工業(yè)至少5年。

    只是制程微縮技術(shù)即將面臨物理瓶頸，且價(jià)格成本越來越高，楊瑞臨說，3D堆疊先進(jìn)封裝技術(shù)將更趨重要，相關(guān)設(shè)備與材料問題都有待解決，這也是臺(tái)積電的新挑戰(zhàn)。

    楊瑞臨表示，臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域著墨多時(shí)，自2016年推出InFO封裝技術(shù)后，至2019年已發(fā)展至第5代整合型扇出層疊封裝技術(shù)（InFO-PoP）及第2代整合型扇出暨基板封裝技術(shù)（InFO_oS），并開發(fā)第5代CoWoS。

    此外，臺(tái)積電開發(fā)系統(tǒng)整合晶片SoIC，以銅到銅結(jié)合結(jié)構(gòu)，搭配矽導(dǎo)孔（TSV）實(shí)現(xiàn)3D IC技術(shù)，將提供延續(xù)摩爾定律的機(jī)會(huì)。

    楊瑞臨認(rèn)為，臺(tái)積電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域仍將領(lǐng)先對手三星。外資并預(yù)期，先進(jìn)封裝將是臺(tái)積電筑起更高的技術(shù)與成本門檻，拉大與競爭對手差距的關(guān)鍵。