美光科技在日本廣島開始量產“1β”DRAM，內存密度提升 35%

美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司” 已于 16 日在該市廣島工廠啟動最高端的 DRAM 量產。

據美光介紹，1β 技術可將能效提高約 15%，內存密度提升 35% 以上，單顆裸片容量高達 16Gb。

1β 制程技術能實現比以往更低的每比特功耗，為智能手機提供了目前市場上最節能的內存技術。它將助力智能手機制造商推出更長續航的設備 —— 消費者在使用高能耗、數據密集型應用時，延長電池續航時間將至關重要。

全新 JEDEC 增強型動態電壓和頻率調節擴展核心（eDVFSC）技術使基于 1β 的 LPDDR5X 更加節能。在高達 3200 Mbps 的雙倍頻率層上添加 eDVFSC，可改善節能控制，從而基于獨特的終端用戶模式實現更低功耗。

最后，美光表示，美光于未來的一年中將在諸如嵌入式、數據中心、客戶端、消費類產品、工業和汽車等其他應用中量產 1β 節點，推出包括顯示內存和高帶寬內存等產品。

據了解，廣島工廠是美光在 2013 年收購爾必達時所獲，于 2019 年建設新廠房等，致力于尖端技術產品 DRAM 的生產。日本共同社消息指出，日本政府 9 月為夯實其半導體生產基礎，宣布將最多補助 464 億日元用于廣島工廠增強設備。

內存廠商上一代 DRAM 芯片通過為 1X、1Y、1Z 區分工藝，1Xnm 工藝相當于 16-19nm 級別、1Ynm 相當于 14-16nm，1Znm 工藝相當于 12-14nm 級別。據業界消息，最新的 1α、1β 和 1γ 可能分別相當于 14-12nm、12-10nm 以及 10nm。