美國的目標：鎖死中國14nm芯片，18nm內存，128層存儲

眾所周知，隨著中國芯片產業的不斷發展，美國也是越來越緊張。

因為中國是全球最大的半導體消費市場，去年進口的芯片金額超過4000億美元，這個規模差不多是全球芯片中的三分之二（全球芯片規模才6000億美元左右），都要跑到中國來轉一圈了。

這些芯片，有些消耗在了中國市場，有些是在中國制作成各種電子產品，再賣到全世界。

一旦中國實現了芯片自給，那么進口會大大減少，這嚴重不符合美國的利益。一方面是因為美國的芯片占全球50%左右的份額，一旦中國自給率提高了，美國的芯片賣給誰？這是直接經濟損失。

另外一方面則更重要，因為美國靠芯片產業，牢牢的控制著全球的科技生產力，一旦中國不需要美國的芯片了，美國就無法拿芯片來控制（要挾）中國市場了，進而無法控制全球市場了，這背后的政治利益，比經濟利益更要命。

所以美國這幾年不斷的升級芯片禁令，特別是今年，密集出臺了各種新規來針對中國芯。

目前，美國已經將EDA工具、先進半導體制造設備等其具有絕對優勢的技術領域作為限制中國先進半導體技術發展的關鍵“武器”。

從禁令的具體內容來看，美國的目標非常明顯，從三個方面來鎖死中國芯片的發展，一是鎖死了16/14nm以下先進邏輯制程。

二是鎖死128層及以上3D NAND的制造。三是鎖死18nm及以下DRAM的發展。通過這三個方向的針對，希望中國的芯片能力，只停留在成熟（落后）階段，不允許中國有先進的技術，這樣中國就得一直依賴美國的芯片，受美國控制。

在這樣的情況下，我們應該辦？

一是我們不得不轉向那些對于先進半導體工藝和EDA工具不強敏感的芯片研發技術，聚焦提升成熟工藝的PPA，發展新材料等。

二是先把成熟工藝的邏輯芯片、DRAM、NAND等產能提升上來，先滿足國內巨大的需求，也能減少對國外的依賴。

三是努力的發展產業鏈，將EDA、半導體設備等工藝也提升上來，然后全方面的擺脫對國外先進EDA工具、半導體設備的依賴，最后實現一勞永逸。

四是發展Chiplet等先進封裝技術，在工藝無法提升的基礎上，想辦法提升性能，減少與國外先進芯片的差距。

另外值得一提的是，目前長江存儲已經實現了232層堆疊的3D NAND閃存，還是全球首發，但后續在先進設備支持上，可能也會受到限制，進而影響產能。

但不管怎么樣，既然禁令已經打過來了，我們也不得不全力應對，也許過程很困難，道路也會非常曲折，但依托中國的龐大市場，一定會有一批批的極具創新性的產品和解決方案將面世，從而打破封鎖，繞開禁令，最終有效緩解國外對我們實施的禁運并打破遏制。