國產光刻機的艱難往事：給全套圖紙，中國人也造不出光刻機？
如果大家關注光刻機，一定在網上聽說過一句話，說是ASML嘲笑中國光刻機的：“就是給全套圖紙，中國人也造不出光刻機來。”
這句話究竟ASML有沒有說，就無從考證了。不過上海微電子的創始人＆董事長兼總經理賀榮明曾在公開場合表示，公司剛成立時，他帶隊去歐洲考察，說要造光刻機時，歐洲的光刻機專家確實說過這樣的話。
當然，現在看起來，這句話就是笑話，因為上海微電子已經造出了光刻機，雖然精度還在90nm，但就是造了出來。
但從這句話，還是能夠看出，中國光刻機在過去，究竟有多難，歐洲對中國要造光刻機，有多蔑視。
美國造出全球第一臺光刻機是在1961年，是美國的GCA公司造出來的，這是一臺接觸式光刻機，曝光精度1um，線寬＞3um，用于2～6寸的晶圓片。
而中國據說第一臺接觸式光刻機是在1966年左右造出來的，由中國科學院微電子研究所與上海光學儀器廠協作，造出了一臺65型接觸式光刻機。
后來美國在70年代，造出了接近式光刻機，后來在70年代末又推出了分布式光刻機……
但當時的中國實在底子薄，半導體也沒得到重視，差不多是0，又加上美國對中國實行技術封鎖，很多人連光刻機是什么都不知道，更不要說去造了。
所以很多年來，國內一直停留在接觸式光刻機，沒有新的進展。更重要的是，當時中國芯片制造也沒跟上時代，這臺接觸式光刻機，也沒有大規模的應用，更多是用于研究，和工業化生產沒有關系。
直到70年代末，中國科技界發現半導體越來越重要，而半導體離不開光刻機，才明確提出要改進光刻設備，盡快趕超世界先進水平。
于是清華大學精密儀器系，中電科等科研機構再次發力，大家紛紛開始研發新型光刻機。
據稱1980年清華大學的研發團隊研發出了分布式投影光刻機，而到1985年中電科45所也研發出了分布式投影光刻機，其性能與美國GCA公司在1978年推出的差不多，也就是只落后了7年左右。
但還是像之前一樣，國內的芯片產業本身就不發達，研制出光刻機，也是用于理論研究，根本就沒有放到晶圓廠大規模應用，而脫離工業生產的光刻機，產業化一直停滯不前，基本上是為了造而造，不是為了市場需要而造。
而80年代后，國內又興起了一股引進潮，說得不好聽一點，就是“造不如買”，只要有錢，就可以從美國、日本、歐洲買到光刻機，以及全套的芯片生產線，那還造什么造？
于是本來只落后幾年的光刻機技術，以及國產芯片產業，在那10多年間，再次停滯不前了，被美國、歐洲、日本、韓國超過，并甩到了腦后。
直到1999年，科索沃戰爭爆發，這場戰爭中，美國用電子信息技術，癱瘓了南聯盟幾乎所有網絡系統。
這讓國內科技界真正重視起電子、信息、半導體產業了，同時也轉變了思想，那就是“買不如造”，因為買的東西不是自己的，一旦和美國鬧翻，國家信息安全將面臨嚴重威脅。
于是研制先進的光刻機再次被提出來，并被列入了“863重大科技攻關計劃”。
在2002年的時候，承擔攻堅項目任務的上海微電子裝備（集團）股份有限公司就這樣正式成立了，總經理就是賀榮明，公司成立后，他就帶著技術團隊去歐洲、美國考察學習，歐洲專家很瞧不起他們，于是就說出了：給全套圖紙，中國人也造不出光刻機的話。
上海微電子成立后，想要造的光刻機，是193nm光源的干式光刻機，但此時已經落后國際水平20多年了，因為像尼康、佳能已經在20多年前就研究193nm的光刻機了，正在向165nm進發。
而ASML此時更是聯手臺積電，轉向浸潤式光刻機，用水為介質，要跳過165nm，用水為介質，讓193nm光源直接等效于134nm光源的光刻機。
努力了5年，2007年上海微電子的光刻機研制成功，但核心器件主要來源于美國、歐洲等，美國對其進行了禁運，所以雖然研制出來了，還是無法量產，只是空中樓閣。
接下來的時間，上海微電子只能與國內供應鏈一起，攻關各種關鍵材料，實現國產，擺脫對西方元件的依賴，這一努力又是10年，直到2016年，上海微電子193nm光源的90nm精度的干式光刻機，才實現全面量產。
后來的故事大家都清楚，由于光刻機的核心元件、技術一直被封鎖，所以上海微電子的光刻機技術，也一直沒有太多的進步，目前最高精度為90nm。
更重要的是，光刻機的進步必須要跟隨產業的進步，目前國內的晶圓制造設備，基本上都是來源于西方，光刻機與其它設備是配套的，大家買ASML的、尼康的、佳能的，基本不用國產的。
再加上美國禁運、技術限制，國產光刻機到現在，依然落后國外20年，可以說還沒有完全走出困境。
不過，現在大家都明白了一點，那就是“買不如造”，只有自己擁有的，才能不被卡脖子，所以光刻機項目得到了前所未有的重視，一直在努力追趕。
更重要的是，芯片產業也清楚的明白，只有自己的才是能夠掌控的，也越來越多的使用國產光刻機，讓其產業化。但說實話，要追上國際水平，還得繼續努力，并且可能還得許多年，得坐得住冷板凳才行。
