價格暴降創(chuàng)十年來最嚴重虧損！存儲芯片行業(yè)震蕩下巨頭如何“過冬”？
從存儲芯片需求的關(guān)鍵指標來看，其庫存已攀升至3-4個月供應量的創(chuàng)紀錄水準；同時，DRAM與NAND Flash價格也都面臨著價格驟降的寒風。據(jù)TrendForce統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2022年下半年DRAM合約價每季度跌幅超過10%；NAND閃存市場同樣呈現(xiàn)供過于求的狀態(tài)，導致2022年第三季度晶圓價格跌幅達30%-35%，顯見市場的嚴峻。
TrendForce預計，本季DRAM價格跌幅為13%-18%，NAND Flash價格季跌幅為10%-15%左右。而且，當前尚無法看到產(chǎn)業(yè)下行周期的終點，這波存儲芯片價格跌勢還沒有看到盡頭。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，存儲大廠生產(chǎn)的每顆存儲芯片幾乎都在虧損，2023年集體經(jīng)營虧損預估達破紀錄的50億美元。
低迷的市場表現(xiàn)，正在持續(xù)影響著存儲芯片巨頭，包含三星、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)、南亞科等為代表的存儲大廠均將難以避免沉重的虧損壓力。
01
價格暴降業(yè)績慘淡，創(chuàng)十年來最嚴重虧損
2022年，存儲芯片價格一路狂跌，從峰值跌到腰斬。
根據(jù)市研機構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)，2022年第四季度，全球DRAM和NAND閃存價格下滑約20%~25%，預計2023年第一季度DRAM價格下滑跌幅收窄至13%~18%，NAND閃存價格下滑約10%~15%。
在今日舉行的財報電話會議上，SK海力士財務總管Woohyun Kim談道：“最近內(nèi)存價格的跌幅是2008年第四季度以來最大的……全行業(yè)的庫存可能處于歷史最高水平。”
按照SK海力士的預測，庫存將在今年上半年見頂，隨后隨著芯片制造商減產(chǎn)，下半年供需狀況將有所改善，庫存水平將逐漸下降。近期稍有好轉(zhuǎn)的跡象是，當前季度的芯片價格有所下降。
但不管未來預測是樂觀還是悲觀，2022年顯然是糟糕透頂。存儲芯片價格的歷史性下跌，已經(jīng)嚴重影響了三星電子、SK海力士的收益。
最新財報顯示，SK海力士創(chuàng)下自2012年第三季度以來最大的季度虧損，第四季度營業(yè)虧損1.7萬億韓元（折合約14億美元）；其收入為7.7萬億韓元，同比下滑38%；凈虧損也高達3.5萬億韓元。截至第四季度的數(shù)據(jù)顯示，SK海力士的產(chǎn)品從投產(chǎn)到銷售需要46.1周。而在一年前，這個數(shù)字甚至少于10周。
2022年，SK海力士的收入為44.6萬億韓元，同比增長4%；營業(yè)利潤為7萬億韓元，同比下降44%。
三星的關(guān)鍵芯片業(yè)務勉強在第四季度維系住了收支平衡，但也未能擺脫營業(yè)利潤暴跌97%至2700億韓元（折合約2億美元）的窘境。
根據(jù)財報，第四季度，三星芯片業(yè)務的營收為20.07萬億韓元，同比下降24%；其中存儲芯片營收為12.14萬億韓元，同比下降38%。不過三星沒有披露其晶圓代工業(yè)務的具體收入，僅談到晶圓代工業(yè)務創(chuàng)下季度收入記錄，但產(chǎn)能利用率正持續(xù)下降。
三星各部門收入和營業(yè)利潤變化，DS是芯片部門
三星負責存儲芯片部門的執(zhí)行副總裁Jaejune Kim透露說，公司的生產(chǎn)線優(yōu)化和設備布局調(diào)整將“不可避免地”影響供應。這意味著未來幾個月，三星存儲芯片生產(chǎn)的步伐將有所放緩。
大多數(shù)芯片企業(yè)都期盼著下半年恢復元氣。三星預測擁有更多存儲空間的小型設備將在今年下半年推動復蘇，但本季度其收益預計會下降。SK海力士亦謹慎預測，2023年全年DRAM和NAND存儲芯片的晶圓產(chǎn)量可能會不及上一年。
02
調(diào)整供需，存儲芯片廠商集體縮產(chǎn)能
三年的疫情翻篇，但存儲芯片行業(yè)尚處于艱難的去庫存時代。
庫存的大山不是一天產(chǎn)生的，而是過去三年供應鏈的連鎖反應所致。疫情初期，各大消費電子廠商預期過高，以及疫情導致的工廠停產(chǎn)，導致行業(yè)出現(xiàn)了嚴重的缺芯潮，為了積極應對，彼時全球的存儲芯片廠商開都足馬力積極擴產(chǎn)。
市場需求瞬息萬變，尤其是去年全球加息、高通脹等諸多負面因素疊加，消費者的購買力下滑，消費電子行業(yè)出現(xiàn)歷史性的疲軟。
而芯片供應鏈端向來對市場反應有著一定的滯后性，供應鏈對于下游的砍單請求有一定的消化時間。
這就導致了，疫情初期擴產(chǎn)尚未停止，而下游已經(jīng)吃不下這么多的芯片。供應增加而需求減少，芯片廠商和渠道商出現(xiàn)了大量的芯片淤積。
市場的金科玉律不會改變，庫存高企之下，存儲芯片市場出現(xiàn)了量價齊跌的情況。為此，存儲芯片廠商不得不通過各種削減支出的方式來挽救利潤。
美光此前就宣布在2023財年的資本支出計劃削減30%，美光的CEO梅赫羅特拉曾稱，公司削減資本支出的方式多種多樣——包括減少高管的薪資，暫停全公司員工獎金發(fā)放、暫停新工廠的建設，甚至是不惜削減先進半導體制造工藝上的研發(fā)投入等等。
不過，海力士在成本削減的態(tài)度更激進，這家公司稱將2023年的資本支出削減50%。
不過，這些方法只能短期幫公司過冬，最棘手的還是需要調(diào)整供需。
為此，從2023年開始，存儲大廠們集體推進減產(chǎn)，從源頭上減少芯片供應。比如，鎧俠此前宣布旗下的NAND閃存工廠晶圓生產(chǎn)量減少30%；美光這邊也傳出縮減20%的產(chǎn)能。
黑夜不會持續(xù)太久。浙商證券一份報告對未來消費電子芯片未來的走勢做出了預判，報告中稱，目前廠商盡管處于“主動去庫存”階段，但未來隨著全球經(jīng)濟的回暖，手機/智能家電/智能汽車等下游消費電子需求復蘇，未來存儲芯片價格將逐漸趨于平穩(wěn)，預計Q2-Q3期間出現(xiàn)下一個價格周期拐點。
03
芯片下行周期，藏著彎道超車的機會
多數(shù)存儲廠商已經(jīng)做出了明確縮減產(chǎn)能的表態(tài)，只有三星態(tài)度始終曖昧。
三星電子早前曾經(jīng)表示，2023年將推進必要的基礎(chǔ)設施投資，產(chǎn)能將提升10%，以應對未來中長期的需求，并且資本支出計劃將于前幾年持平。
不跟進減產(chǎn)，這種逆周期投資的決策不難理解，三星在成長歷程中，就多次從這種反周期投資的策略中獲利。
在三星奪得DRAM內(nèi)存頭籌之前，有過一段艱難的時光。
在1985年，DRAM市場持續(xù)走低，日本在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)也如同今天多數(shù)存儲芯片寡頭一樣減少生產(chǎn)，英特爾在內(nèi)的美國公司為求存減少投資，而三星則選擇孤注一擲，持續(xù)擴產(chǎn)，開發(fā)存量更大的DRAM芯片——而彼時，三星的半導體業(yè)務每年虧損達到20億元，股價也持續(xù)下滑。
直到1987年，行業(yè)才有出現(xiàn)轉(zhuǎn)機，隨著DRAM芯片價格回升，以及客觀環(huán)境上日本企業(yè)遭受美國當局嚴厲反傾銷調(diào)查，鷸蚌相爭漁翁得利，三星的DRAM半導體才逐漸步入盈利線。同樣的解題思路，三星也用在了液晶面板的投資上。
回溯半導體的發(fā)展歷史，可以發(fā)現(xiàn)，幾乎每一個下行周期都是芯片玩家洗牌的過程，資金儲備充足、技術(shù)更先進的大公司，往往會順勢以更低的價格收購在競爭中敗下陣來的中小型公司，以補充研發(fā)實力。
也正是并購，存儲芯片巨頭的寶座不斷切換，產(chǎn)業(yè)重地發(fā)生區(qū)域轉(zhuǎn)移——從最早的20世紀70年代的以英特爾、TI、莫斯泰克為主導的美國市場，切換到80年代以東芝、日立主導的日本市場，再到90年代的以三星為主導的韓國市場，并且延續(xù)至今。
如今全球的存儲芯片行業(yè)巨頭已經(jīng)所剩無幾，并購整合的火花依舊在寡頭之間閃現(xiàn)。DRAM芯片的市場格局相對穩(wěn)定，NAND閃存芯片領(lǐng)域競爭持續(xù)。
此前有信息指出，西部數(shù)據(jù)不久前獲得60億元的投資，計劃拆分閃存業(yè)務與鎧俠合并。
這兩家廠商，市場份額排名分別為第二、第四，加起來正好與第一名的三星齊平，也正好是美國和日本市場閃存芯片領(lǐng)域最大玩家。這意味著，曾經(jīng)在存儲芯片領(lǐng)域互相抗爭的兩個國家，即將重新達成合作絞殺新玩家。
如果一切成真，對此最焦慮的會是三星。
三星業(yè)績的持續(xù)下滑，已經(jīng)產(chǎn)生了更加深遠的影響——存儲芯片支撐起了韓國出口的半壁江山，而根據(jù)韓國1月份發(fā)布的報告顯示，半導體出口連續(xù)半年出現(xiàn)同比下滑，出現(xiàn)有史以來最大的貿(mào)易逆差。
這次存儲芯片的寒冬，也可能是一次新洗牌的序幕。
寫在最后
綜合來看，由于市場需求疲弱，存儲芯片原廠庫存壓力持續(xù)。
資料顯示，截止2022年三季度，三星、SK海力士和美光占據(jù)了96%左右的DRAM份額；在2022年三季度的NAND Flash市場上，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、海力士、美光占據(jù)了超過95%的市場。
為避免DRAM產(chǎn)品再大幅跌價，多家供應商已開始積極減產(chǎn)，預估2023年第一季DRAM價格跌幅可因此收斂至13%-18%，但仍不見下行周期的終點。
NAND Flash存儲器方面，歷經(jīng)2022下半年劇烈跌價，促使供應商積極減產(chǎn)，加上NAND Flash Wafer已接近現(xiàn)金成本，且相較DRAM具有較高的價格彈性，預計NAND Flash價格下行周期會較DRAM提前終止。
從需求端看，終端市場對存儲芯片的渴求開始回落，加上不少企業(yè)囤貨，業(yè)內(nèi)預計高庫存將在今年二季度緩和，不過也有分析指出庫存緩解和半導體復蘇的時點可能晚于預期，下半年供需平衡仍需綜合的動態(tài)觀察。
放眼2023年，TrendForce預估今年DRAM供給成長率僅來到10.6%、NAND Flash供應增長也下修至20.6%，低于往年增幅?？梢娫瓘S對于產(chǎn)出相當謹慎與保守，也讓今年下半年市場有機會呈現(xiàn)跌幅收斂走勢。
無論如何，2023年的存儲產(chǎn)業(yè)也將是極具挑戰(zhàn)的一年。
