美國要再出手，全面鎖死中國18nm以下DRAM、128層以上NAND芯片
眾所周知，從去年10月份開始，美國對中國的芯片產(chǎn)業(yè)就進行了一輪新的打壓，并且是全面的打壓。
按照當時的禁令，對18納米以下DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)設(shè)備，128層以上NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備，以及14納米以下邏輯芯片的生產(chǎn)設(shè)備全部禁售。
很明顯，美國的目的就是要鎖死這些先進芯片的生產(chǎn)，讓中國只能生產(chǎn)落后的芯片，然后先進的芯片靠進口，這樣美國不僅可以獲得經(jīng)濟上的利益，還能夠繼續(xù)卡住我們的脖子。
不過當時，考慮到一些國外廠商在中國也設(shè)有晶圓廠，并且是涉及到先進工藝的，比如韓國三星、SK海力士在國內(nèi)的DRAM、NAND廠。
比如三星在西安設(shè)有生產(chǎn)兩座NAND工廠生產(chǎn)128/176層存儲芯片。SK海力士在無錫擁有兩座DRAM晶圓廠，生產(chǎn)14nm工藝的。
所以美國對韓企進行了豁免一年，即三星、SK海力士的工廠，暫時不受限，可以采購到先進的設(shè)備，用來生產(chǎn)18nm以下DRAM、128層以上NAND。
但是這個豁免可能也要收緊了，美國商務(wù)部副部長Alan Estevez 2月23日在華府智庫戰(zhàn)略與國際研究中心(CSIS) 主辦的論壇中表示：“美方可能對韓企在中國的成長程度設(shè)限，那些公司會被要求停留于目前所處的堆疊層數(shù)，或其技術(shù)范圍內(nèi)某水平。”
什么意思？意思就是接下來美國會出手，韓企也會受限，不準這些韓企再采購先進設(shè)備了，也不準這些韓企的芯片制造工藝前進了。
更確切一點的來講，就是美國計劃全面鎖死中國18nm以下DRAM、128層以上NAND芯片制造，不管是國外企業(yè)，還是中國本土企業(yè)，都鎖住。
這會導(dǎo)致什么后果？一是中國大陸境內(nèi)，基本上就接觸不到先進工藝的設(shè)備，徹底與這些設(shè)備無緣了，這個影響有多大，大家懂的。
其次，這些韓企后續(xù)為了發(fā)展，可能不得不外遷，遷到一些不受限的國家和地區(qū)去，這對中國制造也會形成大的沖擊，因為這些外企一遷，又會影響到上、下游的供應(yīng)鏈……
可見，我們不能抱有任何幻想，只有自研、突破，讓對方?jīng)]有脖子可卡才行。
