從設計、制造、封測三個環節，分析國產芯片發展到哪一步了

近日，美國又將28家中國企業列入了“實體清單”進行打壓，比如全球最牛的AI服務器廠商浪潮集團，以及中國最有名的CPU廠商之一龍芯等。

于是很多網友表示，國產芯片究竟發展到哪一步了，為何美國不斷的打壓，難道我們的技術，真的差那么遠么？

今天就給大家聊一聊，國產芯片究竟發展到哪一步了。

芯片目前分為三個主要環節，分別是設計、制程、封測這。

設計水平，目前國內與全球水平是一致的，那就是達到了3nm，這個估計大家不會懷疑，畢竟之前華為麒麟芯片，與高通、蘋果芯片是同步的。

去年上半年三星量產3nm芯片時，首批客戶就是國內的礦機廠，所以3nm芯片，我們去年就能夠設計出來了，設計這一塊，我們不落后。

但是，要注意的是，設計芯片，需要指令集、EDA、IP核等，這一塊國內相對是較落后的，國內的芯片，大多使用ARM指令集，美國的EDA，還有ARM的IP核等，這一塊差距相當大。

制造這一塊，對外公開的數據是中芯已經實現了14nm工芯的量產，而梁孟松曾表示，已完成7nm工藝的研發任務，就等EUV光刻機到貨了。

但是大家特別要注意在制造這一塊，實現14nm芯片的量產，是基于ASML的光刻機，美國的一些半導體設備，日本的一些半導體材料才行的。

如果采用國產設備、國產材料，目前的真實技術，連28nm都實現不了，因為國產光刻機才達到90nm，還有一些設備，最多也就是28nm。

在材料方面，像光刻膠，國產才剛實現ArF光刻膠，也就是65nm左右，可以說制造水平要是考慮國產化，最多在65nm，甚至還在90nm。

最后說說封測這一塊，封測這一塊，門檻相對最低，去年的時候，天水華天、通富微電、長電科技就表示，已經實現了3nm芯片的封測。

而今年年初，像長電科技、通富微電均表示，實現了4nm的Chiplet芯片的封測，而封測設備，并不那么難，可以說國內封測水平，與國際水平基本也是一致的。

可見，與全球水平相比，我們差的是EDA、指令集、IP核等，還有光刻機等設備、光刻膠等材料，并且差距相當相當大，比如光刻機要僅90nm，光刻膠僅65nm。

這也是為何美國不斷打壓的原因，因為只要卡住光刻機，就卡住了所有，我們有再牛的芯片設計水平、封測水平，但只要制造不出來，一切就都是假的。