國內首批！銘鎵半導體實現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破

近日，從順義科創集團獲悉，入駐企業北京銘鎵半導體有限公司實現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，成為國內首批掌握第四代半導體4英寸氧化鎵單晶襯底生長技術公司之一。

銘鎵半導體工作人員在做相關試驗。

北京銘鎵半導體有限公司創始人、董事長陳政委向記者介紹，穩態氧化鎵晶體為單斜結構，存在（100）和（001）兩個解理面，主面（001）晶體的生長對工藝過程控制的要求極高，也更適于制備功率半導體器件，因此控制生長主面（001）晶相氧化鎵晶體難度非常大。陳政委告訴記者：“此次，我們使用導模法成功制備了高質量4英寸（001）主面氧化鎵單晶，完成了4 英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破，并且將進行多次重復性實驗，從很大程度上解決了氧化鎵晶體生長的相關技術難題。”

北京銘鎵半導體有限公司成立于2020年，專注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內較早將半導體氧化鎵材料產業化落地的企業之一。2022年6月，該公司完成了由社會資本領投8千萬元A輪融資，順義科創集團及時準確掌握企業發展訴求，騰退園區989平方米閑置廠房，協助企業解決擴產空間需求，助推氧化鎵擴大加工線及新建潔凈室順利落地。

2023年底完成擴產計劃后，銘鎵半導體將建成國內首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延、性能測試于一體的氧化鎵完整產業線，成為年產千片以上規模的氧化鎵材料企業，滿足下游100多家器件設計、制造封裝工業企業與科研院所的材料供應需求。

銘鎵半導體潔凈室。

陳政委表示，在完成4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破的同時，公司光學晶體已完成中試，開始轉型規模化量產，其生產的摻雜人工光學晶體已獲得客戶的廣泛認可，另外磷化銦多晶材料產線也已上線運營，完成重點客戶認證工作，并獲得長期穩定性訂單。

目前，銘鎵半導體已研制并生產出高質量、大尺寸氧化鎵單晶片與外延片、大尺寸藍寶石窗口材料、磷化銦多晶及單晶襯底、高靈敏日盲紫外探測傳感器件、高靈敏光電型局部放電檢測系統等產品。