臺積電：3nm良率領先業界 很快比肩5nm

消息稱三星將公布第二代3nm制程進度，性能較4nm提高22%。臺積電5月11日在技術論壇上表示，自家3nm制程（N3）將實現快速且順暢的產能提升，良率將比肩5nm技術。

據鉅亨網報道，臺積電先進技術暨光罩工程副總經理張宗生表示，臺積電N3在量產階段，產能在手機和高性能計算應用驅動下將迅速提升，良率將領先業界，很快就可以比肩5nm技術。

臺積電業務開發資深副總經理張曉強表示，臺積電N3是全世界最領先的技術，N3家族中的N3E已通過技術驗證，達成性能與良率目標，并收到第一批客戶產品設計定案，將在下半年量產，在邁入量產的前三年，N3E新品設計定案數量將是5nm同時期的1.5至2倍。

張曉強補充表示，包括手機、高性能計算客戶都積極采用N3制程，踴躍程度勝過5nm制程同期，車用芯片客戶也期待推進3nm制程。臺積電應業界需求推出首個基于3nm制程的Auto Early技術——N3AE，提供以N3E為基礎的汽車制程設計套件，將有助縮短客戶產品上市時間2-3年。

除先進制程，臺積電也持續提升特殊應用制程產能。張宗生指出，2017年到2022年，臺積電對特殊制程技術投資的年復合成長率超過40%，到2026年，預計將特殊制程產能提升近50%。另外，臺積電也積極擴充3D Fabric先進封裝產能，預計至2025年無塵室面積將增為2021年的2倍以上。