英特爾全新堆疊式CFET晶體管架構曝光，有望將制程推進至0.2nm

5月24日消息，近日在比利時安特衛普舉行的 ITF World 2023大會上，英特爾技術開發總經理 Ann Kelleher 介紹了幾個關鍵領域最新技術發展，其中就包括了英特爾將采用堆疊式CFET晶體管架構，這也是英特爾首次公開介紹新的晶體管設計，但并未提及具體的量產時間表。

在2021年創新技術大會上，英特爾公布了 Intel 20A 制程將采用基于 Gate All Around（GAA）技術 RibbonFET 晶體管架構，以取代 2011 年沿用至今的 FinFET 晶體管架構。新技術提升晶體管開關速度，占用空間更少，可以達成與FinFET結構相同驅動電流水準。Ann Kelleher 表示，RibbonFET 將在 2024 年量產。

英特爾還展示下一代 GAA 堆疊式 CFET 晶體管架構，將允許堆疊8個納米片，是 RibbonFET 的4個納米片的兩倍，將進一步提升晶體管密度。CFET 電晶體將 n 和 p 兩種 MOS 元件堆疊在一起，以達成更高的密度。英特爾正在研究兩種 CFET晶體管，也就是單片式和順序式，但未確定最后采用哪種 CFET晶體管，或還有其他類設計出現。

英特爾表示，憑借CFET晶體管技術，2032年將有望進化到5埃米（0.5nm），2036年將有望實現2埃米（0.2nm），CFET晶體管架構類型還會發生變化，也是不可避免的。不過，英特爾只是概述電晶體技術大概發展藍圖，并沒有分享太多細節，未來應該還會陸續公開更多信息公布。