國產光刻膠爆發：已覆蓋28nm~90nm，打破日本、美國壟斷

眾所周知，在芯片制造過程中，光刻膠是一項非常重要的材料。

因為芯片進行光刻工藝時，就是利用投影原因，光線將芯片電路圖，照射在涂了光刻膠的硅晶圓片上，然后光刻膠見光就會發生變化。

與光刻機對應，光刻膠也按工藝劃分，有g線、i線、KrF、ArF、EUV這么5種。

g線、i線主要用于250nm以上工藝，KrF一般用于250nm-130nm工藝，ArF一般用于130nm-14nm，而EUV用于EUV光刻工藝，主要用于7nm以下工藝。

國內g線、i線、KrF工藝上能夠生產光刻膠，但自給率不高，g線、i線在20-30%左右，而KrF在5-10%左右。ArF在2022年前國內自給率基本接近于0，至于EUV就想都沒想了，目前全球僅日本能夠生產EUV光刻膠。

從全球光刻膠市場來看，日本掌握最領先的光刻膠配方和工藝，東京應化、JSR、富士、信越化學、住友化學等日本廠商占據80%以上市場份額。

這樣的情況，對中國芯的發展，當然非常不利，所以隨著國產芯片大發展，供應鏈也是集體突破，所以這幾年國內也有幾家光刻膠企業，在向ArF發起沖擊，想要在14nm及以上的工藝上實現0的突破，打破國外壟斷。

2022年就有好幾家企業表示，自己生產的ArF光刻膠，已經實現了60nm、45nm等工藝的覆蓋，并且接到了訂單等。

而6月2日，國產光刻膠大廠南大光電在互動平臺上稱，公司開發了多款ArF光刻膠在下游客戶處驗證，制程覆蓋28nm~90nm。

很明顯，南大光電再次打破了國外壟斷，畢竟28nm工藝的光刻膠，之前國內是完全生產不出來的，只能從日本進口。

目前美國正在逆全球化，聯手日本、荷蘭等，對中國半導體產業進行打壓，所以半導體供應鏈安全至關重要，光刻膠作為半導體產業核心原材料，技術壁壘高，原料自主可控尤為關鍵。

希望更多的廠商，能夠在光刻膠、光刻機等等設備和材料上，不斷的突破，打破國外的壟斷，讓國外無法卡我們的脖子。

同時國產晶圓廠，也應該努力的加強與國產供應鏈的合作，及時試用產品，加快產品驗證與導入速度，給國產供應鏈以更好的成長環境和基礎。