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              賽微電子擬投資10億建設(shè)6-8英寸GaN芯片晶圓制造項(xiàng)目

              2021-04-06 來(lái)源:賽微電子資本邦
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              賽微電子發(fā)布公告,與青州市人民政府簽署了《合作協(xié)議》,共同推進(jìn)6-8英寸GaN芯片晶圓制造項(xiàng)目的建設(shè),將在租賃現(xiàn)成土地廠房的基礎(chǔ)上進(jìn)行適應(yīng)性補(bǔ)充建設(shè),且已經(jīng)鎖定成套熱線設(shè)備、目標(biāo)是在2021年內(nèi)建成并做好投產(chǎn)準(zhǔn)備,有利于公司進(jìn)一步完善GaN業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈IDM(垂直整合制造)布局。

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                賽微電子表示擬在青州經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國(guó)際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目,總占地面積30畝,一期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5,000片/月的生產(chǎn)能力,二期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12,000片/月的生產(chǎn)能力。