ASML和IMEC合力推進high-NA EUV光刻技術試驗線
荷蘭半導體設備制造商ASML和比利時納米電子科技研究中心IMEC已宣布，將共同推進高數值孔徑極紫外線（high-NA EUV）光刻技術試驗線的研發，以應對未來半導體制造的挑戰。
ASML是全球最大的半導體設備制造商，專注于提供先進的光刻設備和相關硬件、軟件服務。而IMEC則是全球最大的獨立納米電子研究機構，負責開發下一代的半導體制程技術。
High-NA EUV光刻技術是ASML和IMEC所看重的下一代半導體制程關鍵技術。NA（Numerical Aperture）是光學系統接收光的能力的度量，NA值越高，系統對光的分辨率越高，也就意味著可以刻畫出更小的特征尺寸。目前，EUV光刻已經在5納米和3納米節點上得到應用，但要在更小的節點上實現大規模商業化生產，就需要進一步提升NA值，也就需要high-NA EUV光刻技術的支持。
ASML和IMEC將在IMEC的總部設立high-NA EUV光刻試驗線，進行相關的研發和測試工作。目前，雙方已經開始進行設備安裝和調試工作，預計2023年可以開始進行新設備的性能驗證和新工藝的開發工作。
ASML和IMEC表示，通過共同推進high-NA EUV光刻技術的研發，可以更好地為全球半導體產業的進步做出貢獻。隨著5G、AI、自動駕駛等領域的快速發展，對半導體設備的需求越來越大，同時，對設備性能的要求也越來越高。因此，通過提升光刻技術的性能，可以幫助半導體制造商實現更高效、更精細、更低成本的生產。
然而，high-NA EUV光刻技術的研發并非易事，需要解決包括光源、光學系統、光刻膠、掩模等多個技術難題。在這個過程中，ASML和IMEC的合作將發揮關鍵作用。通過共享資源、技術和經驗，雙方可以共同面對挑戰，加快技術的研發進程。
總的來說，ASML和IMEC的合作標志著半導體行業對于高級光刻技術研發的重視，也預示著未來高性能半導體設備的生產可能會有更大的突破。不僅如此，這也可能推動整個半導體產業鏈的升級，包括設備制造商、材料供應商、芯片設計商等多個環節。
