三星、SK 海力士正致力于研發(fā)降低內(nèi)存功耗技術(shù)，提升計(jì)算效率

7 月 13 日消息，隨著模型訓(xùn)練類任務(wù)在當(dāng)下愈發(fā)增多，HBM 和 DDR5 等內(nèi)存在高性能計(jì)算中的重要性日益增加，而內(nèi)存的功耗問(wèn)題也愈發(fā)突出。

據(jù)外媒 Chosun Biz 報(bào)道，三星電子和 SK 海力士等內(nèi)存制造商正在與學(xué)術(shù)界展開(kāi)合作，投資于下一代技術(shù)以降低功耗，以提升高性能計(jì)算下的效率。

經(jīng)過(guò)查詢得知，DRAM 目前占據(jù)基于英偉達(dá) A100 的數(shù)據(jù)中心平臺(tái)總功耗的 40%，而隨著層數(shù)的增加，HBM 的功耗也會(huì)增加。

首爾國(guó)立大學(xué)此前推出了 DRAM Translation Layer 技術(shù)，聲稱可以將 DRAM 的功耗降低 31.6%，引來(lái)了三星的興趣。

▲ 圖源 首爾國(guó)立大學(xué)論文

▲ 圖源 首爾國(guó)立大學(xué)論文

三星當(dāng)下正在與首爾國(guó)立大學(xué)合作，以進(jìn)一步降低內(nèi)存功耗，他們基于 Compute Express Link 技術(shù)，開(kāi)發(fā)了采用 12 納米工藝的 16GB DDR5 DRAM，與上一代產(chǎn)品相比，功耗降低了 23%。

▲ 圖源 Compute Express Link 網(wǎng)站

SK 海力士則是推出了 LPDDR5X，將 High-K 金屬柵（HKMG）工藝應(yīng)用于移動(dòng) DRAM。High-K 材料的介電常數(shù)比傳統(tǒng) SiON 絕緣膜高約五倍，可以在相同面積和厚度下存儲(chǔ)五倍的電荷，并幫助減少電流泄漏。通過(guò)控制泄漏電流，SK 海力士的 LPDDR5X 速度提高了 33%，功耗比上一代產(chǎn)品降低了 20% 以上。

▲ 圖源 Pexels

隨著模型訓(xùn)練任務(wù)對(duì)內(nèi)存廠商提出進(jìn)一步的技術(shù)更新要求，廠商們當(dāng)下也紛紛展開(kāi)彼此之間的角逐，從而導(dǎo)致內(nèi)存成本能夠得到一定下降，消費(fèi)者也能從中得利。