存儲市場跌幅將繼續收窄，這條賽道趁機快速崛起

此前，由于制造商及內存供應商庫存的增加和需求惡化，存儲市場陷入了嚴重衰退期。雖然存儲價格還在下跌，但情勢或將有所好轉。TrendForce集邦咨詢認為，預計第三季整體NAND Flash均價持續下跌約3%~8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。

結合幾大原廠最新財報數據及市場動態顯示，庫存調整有所成效，市場出現了一些回溫的跡象。

三星、美光財報帶來回溫跡象？

近期，三星電子公布2023年第二季度財報的初步數據，期內銷售額為60萬億韓元，同比下降22.3%；營業利潤從上一年的14.1萬億韓元降至6000億韓元，同比下降95.7%。行業人士認為，雖然三星電子財報仍在持續下跌，但其利潤降幅小于行業人士預期。

美光科技財報顯示，三季度營收為37.5億美元，高于市場預期的36.9億美元，去年同期為86.4億美元，同比下降57%；利潤率下滑16.1%，利潤下滑幅度低于市場預測。

結合上述兩家大廠財報數據后，業界認為，存儲芯片價格在持續下跌一年多以后，庫存過剩現象有所緩解，市場出現了一些復蘇的跡象。美光方面表示，存儲芯片行業已度過低谷。


庫存壓力仍在

雖然供需在走向平穩，但存儲廠商的庫存壓力仍在。

半導體分析師王志偉對記者表示，雖然市場偶有漲價的消息傳出，但是否能因此帶動市況反轉，則仍須看整體需求和市場接受度。

據TrendForce集邦咨詢研究顯示，受惠于DRAM供應商陸續啟動減產，整體DRAM供給逐季減少，加上季節性需求支撐，減輕供應商庫存壓力，預期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。不過，目前供應商全年庫存應仍處高位，今年DRAM均價欲落底翻揚的壓力仍大，盡管供給端的減產有助季跌幅的收斂，然而實際止跌反彈的時間恐需等到2024年。

而在對2023年DRAM市場的展望中，Yole方面認為，“宏觀經濟的不確定性使得近期需求預測非常不穩定”，但供應商的積極應對將帶來“歷史最低的產能增加”，市場將在2023年下半年恢復平衡。報告稱，供應商的庫存可能還需要幾個季度才能恢復正常。

王志偉認為，從中長期來看，隨著人工智能時代的到來，全球算力正在以指數級增長，而這將直接拉動對存儲的需求。

Yole預測，未來五年，數據中心對DRAM的需求將增長30%以上，同期整體DRAM需求將以每年20%以上的速度增長。Yole表示：“AI（人工智能）、IoT（物聯網）和5G（第五代移動通信）相互交織，將為算力需求乃至DRAM需求提供強勁的順風。”

NAND市場方面同樣不明朗。TrendForce集邦咨詢表示，原廠減產幅度持續擴大，實際需求未明，第三季NAND Flash市場仍處于供給過剩。即便下半年有季節性旺季需求支撐，但目前買方仍持保守的備貨態度，壓抑NAND Flash價格止跌回穩。第三季NAND Flash Wafer均價預估將率先上漲；SSD、eMMC、UFS等模組產品，則因下游客戶拉貨遲緩，價格續跌，預計第三季整體NAND Flash均價持續下跌約3%~8%，第四季有望止跌回升。


HBM爭霸戰開打

隨著ChatGPT（一種以類人方式回答問題的生成式人工智能聊天機器人）的興起，這又是韓國公司現在正在啟動另一項競爭場技術戰，將對高容量、高性能半導體（稱為高帶寬內存（HBM））的需求不斷增長。消息表示，第二大內存廠商SK海力士將在首爾舉行閉門投資者關系會議，向包括國家管理局補貼的機構投資者和分析師介紹該芯片制造商的HBM能力。

SK表示，與早期產品相比，24GB封裝產品的內存容量增加了50%。現有HBM3產品最大內存容量為16GB，采用 8層配置。該公司最新的12層、24GB HBM3擁有多達約819GB的數據處理速度，能夠在秒內傳輸163部全高清電影。

與此同時，三星計劃在年底前開始大規模生產 HBM3 芯片。

該公司高管表示，將斥資數千億韓元，到 2024 年底將天安工廠的 HBM3 芯片制造能力提高一倍。有消息人士稱，三星將向無晶圓廠芯片設計公司AMD等客戶供應其產品。

據當地券商KB證券稱，到2024年，HBM3將占據其芯片銷售收入的18%，較今年預計的6%大幅提升。

三星芯片負責業務的設備解決方案部門總裁兼負責人 Kyung Kye-hyun 在本月早些時候的公司會議上表示，三星將努力控制一半以上的 HBM 市場。“我們收到了客戶對我們的 HBM3 產品的積極回應，

三星董事長李在镕（Jay Y. Lee）在 5 月份的美國之行期間會見了 Nvidia 創始人黃仁勛（Jensen Huang）， 討論了擴大業務合作伙伴關系的方法，特別是在 GPU和AP方面。

三星和SK海力士都希望他們的半導體業務能夠通過HBM等大容量芯片容量的增加實現盈利。HBM芯片垂直互連多個DRAM芯片，與傳統DRAM產品相比，可大幅提高數據處理速度，其價格至少是 DRAM 的五倍。

分析師預計，三星芯片部門和 SK 海力士將在本周晚些時候公布業績時，點亮運營杠桿將分別達到創紀錄的 8.5 萬億韓元（合65億美元）和6.3萬億韓元。


國產實力相差懸殊

HBM需求爆發，三星、SK海力士、美光三大存儲芯片巨頭正在將更多產能轉移至生產HBM，但由于調整產能需要時間，很難迅速增加HBM產量，預計未來兩年HBM仍將供應緊張。

不過，在HBM領域，國內廠商布局不大，只有一些廠商涉及封測。比如，國芯科技正在研究規劃合封多HBM內存的2.5D的芯片封裝技術，積極推進Chiplet技術的研發和應用；通富微電在建先進的2.5D/3D先進封裝研發及量產基地，將實現國內在HBM高性能封裝技術突破；華海誠科生產的顆粒狀環氧塑封料(GMC)可以用于HBM的封裝，相關產品已通過客戶驗證，現處于送樣階段。

總的來說，國內HBM內存芯片與國際巨頭的差距還是非常大。