三星計劃明年生產第9代V-NAND閃存：沿用雙層堆棧架構，超300層

8 月 18 日消息，據 DigiTimes 報道，三星電子計劃明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構，超過 300 層。

報道稱，這將使三星的進度超過 SK 海力士 —— 后者計劃 2025 年上半年量產三層堆棧架構的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構，生產第 7 代 V-NAND 閃存芯片。

▲ 圖源三星

注：雙層堆棧架構指在 300mm 晶圓上生產一個 3D NAND 堆棧，然后在第一個堆棧的基礎上建立另一個堆棧。

而三星即將生產的超 300 層第 9 代 V-NAND 將提高單個晶圓上生產的存儲密度，這將有利于降低固態硬盤的成本。

作為競爭對手，SK 海力士的三層堆棧架構則是創建三組不同的 3D NAND 層，而這種做法將增加生產步驟和原材料的用量，目的是最大限度提高產量。

另據《首爾經濟日報》報道，業界認為三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，將有望在第 10 代 430 層的 3D NAND 中采取三層堆棧架構。該報援引業內人士稱，若 3D NAND 層數超過 400，原材料用量和晶圓成本也會水漲船高，同時也會保證產量。

在去年 10 月舉行的“2022 三星科技日”上，三星曾提出長期愿景：2030 年將層數提升至 1000 層。