國產刻蝕機大進步：達到3nm，拿下國內60%份額，逼退美企

眾所周知，在目前的芯片制造工藝中，光刻機、刻蝕機是必不可少的兩個重要工具。

如果從所有的半導體設備的成本來看，光刻設備占其中的20%，而蝕刻設備占其中的23%，兩者占其中的43%的比例，足以證明光刻--蝕刻有多重要了。

光刻與蝕刻也是成套使用的，光刻工藝后，就是蝕刻工藝，缺一不可，不可替代。

而光刻機方面，國內的技術很落后，這個大家都清楚的。但刻蝕機方面，國內的技術可不差，完全是國際先進水平。

之所以這么強，這是因為一家公司，那就是中微半導體，由尹志堯博士于2004年創立。

在創立中微半導體之前，尹志堯博士曾在英特爾、泛林、應用材料等企業均工作過，積累了大量的經驗、技術和人脈。

按照媒體的說法，尹志堯個人在半導體行業擁有86項美國專利和200多項各國專利，被譽為“硅谷最有成就的華人之一”。

后來他看到中國半導體技術相對落后，于是在2004年的時候，他帶著錢，帶著一批精英人才回國（據稱第一批是15個），創辦了中微，誓要打破國外的壟斷。

在2007年的時候，中微研發出了第一代介質刻蝕機，并且全球首次采用可單臺獨立操作的雙反應臺，效率甚至比國外同類產品還要高30%。

然后中微不斷的努力，中微的刻蝕機技術不斷的進步，達到了全球最先進的水平，目前已經被用于某晶圓廠的3nm芯片生產線中。

而近日，中微更是表示，中微在中國電容耦合等離子體（CCP）刻蝕設備市場的市場份額預計將從去年10月的24%增至60%。在電感耦合等離子體（ICP）工具市場，其份額可能會從幾乎為零上升到75%。

合計來看，中微今年在國內的刻蝕市場份額，可能提升至60%，而之前占據主導地位的美國泛林半導體、應用材料等，全部被中微打的節節敗退了。

接下來，希望其它國產半導體設備，特別是光刻機，也能夠像中微的刻蝕機一樣，達到全球先進水平，實現5nm、3nm，那么中國芯片產業，就再也不怕美國卡脖子了。