東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關損耗的4引腳封裝

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產品于今日開始批量出貨。

新產品是東芝碳化硅MOSFET產品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產品，其封裝支持柵極驅動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內源極線電感的影響，從而提高高速開關性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設備功率損耗。

使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設計已在東芝官網發布。

東芝將繼續擴大自身產品線，進一步契合市場趨勢，并助力用戶提高設備效率，擴大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

使用SiC MOSFET的3相逆變器

簡易方框圖

  應用：

-     開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）

-     電動汽車充電站

-     光伏變頻器

-     不間斷電源（UPS）

 

  特性：

-     4引腳TO-247-4L(X)封裝：

柵極驅動信號源極端使用開爾文連接，可降低開關損耗

-     第3代碳化硅MOSFET

-     低漏源導通電阻×柵漏電荷

-     低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）

 

  主要規格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號	封裝	絕對最大額定值			電氣特征							庫存查詢與購買
		漏 源 電壓 VDSS （V）	柵 源 電壓 VGSS （V）	漏極 電流 （DC） ID （A）	漏 源 導通 電阻 RDS(ON) （mΩ）	柵極 閾值 電壓 Vth （V）	總 柵極 電荷 Qg （nC）	柵 漏 電荷 Qgd （nC）	輸入 電容 Ciss （pF）		二極管 正向 電壓 VDSF （V）
				Tc＝25℃	VGS＝18V	VDS＝10V	VGS＝18V	VGS＝18V	典型值	測量 條件 VDS （V）	VGS＝-5V
					典型值		典型值	典型值			典型值
TW015Z120C	TO-247-4L(X)	1200	-10至25	100	15	3.0至5.0	158	23	6000	800	-1.35	在線購買
TW030Z120C				60	30		82	13	2925			在線購買
TW045Z120C				40	45		57	8.9	1969			在線購買
TW060Z120C				36	60		46	7.8	1530			在線購買
TW140Z120C				20	140		24	4.2	691			在線購買
TW015Z65C		650		100	15		128	19	4850	400		在線購買
TW027Z65C				58	27		65	10	2288			在線購買
TW048Z65C				40	48		41	6.2	1362			在線購買
TW083Z65C				30	83		28	3.9	873			在線購買
TW107Z65C				20	107		21	2.3	600			在線購買

 

注：

[1] 截至2023年8月

[2] 截至2023年8月，東芝測量值（測量條件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）