國產EUV光刻要突破，三大核心中，僅一項稍有把握

最近幾天，國產光刻機又成為了市場熱點，有很多媒體稱，中國顛覆式創新下的EUV光刻機有了大突破，而團隊是清華大學，具體項目是SSMB-EUV方案。

說的是有鼻子有眼，甚至還有圖有真相。但事實上，大家仔細想一想就會清楚，光刻機從0到1實現技術突圍，再從1到100實現商業化量產，從來不是一件容易的事，要有這么容易突破，也不至于全球僅ASML一家有EUV光刻機了。

說實話，對于這種類似未經證實的重大突破傳言，需要慎之又慎，因為很大概率就是假的。

光刻機（包括EUV光刻機）均由三大核心系統組成，涉及到數萬個零件，而EUV光刻機更是超過10萬個零件，全球有5000多家供應鏈，是產業鏈各環節頂尖公司通力合作的成果。

光刻機的三大核心系統分別是光源方面、光學系統、雙工作臺。

光源系統，在DUV光刻機，采用準分子激光器，技術掌握在Cymer和Gigaphoton手中，國內科益虹源打破了壟斷，有了DUV光源，這個是突破。

而在EUV光刻機中，光源與DUV又不一樣，是通過高功率CO2激光器轟擊Sn滴而來，高功率激光器為核心組件。ASML的EUV光刻機中，EUV光源是荷蘭ASML、德國TRUMPF、德國ZEISS通力合作的結果。

而前幾天清華大學的SSMB方案，其實是指這個方案成功后，有可能成為EUV的光源。注意看，這里是指有可能成為EUV光刻機的光源，而不是一定能成，且目前SSMB也沒有穩定運行，都沒有實現0到1的突破，更不要提1到100了。

再說光學系統方面，這一塊有兩部分組成，分別是照明系統和物鏡系統。照明系統優化成像過程，實現分辨率增強；投影物鏡系統將掩模圖形聚焦成像，ZEISS為ASML關鍵光學元件獨家供應商，目前全球僅蔡司擁有浸潤式光學系統、EUV光學系統能力，除蔡司外，全球沒有任何其它的替代廠商。

在ASML的EUV光刻機中，光學系統高約1.5m，重3.5噸，由3.5萬個獨立部件組成；其中照明系統共1.5萬個組成部分，重1.5噸；投影物鏡共2萬個組成部分，重2萬噸。

國內目前在光學系統方面，存在很大的短板，與蔡司的水平還有很大差距，浸潤式光學系統暫時還沒有搞定，更不要提EUV的光學系統了。

最后說說雙工作臺，雙工作臺是指測量平臺和曝光平臺，這一塊考慮的指標是MA（移動平均偏差），它影響光刻分辨率；MSD（移動標準偏差）影響套刻精度，速度、加速度、機臺穩定時間等影響產率。

ASML的浸潤式光刻機，其CD均為38nm，那么要求MA在1nm以內，MSD在7nm左右，而載物加速度要達到5g。

目前國內華卓精科和清華大學團隊在雙工作臺上，表現非常不錯，其工作臺MA為1.5nm，MSD為2.6nm，基本達到了ASML的浸潤式光刻機的要求。

可見，國產EUV光刻機要突破，必須在光源、光學系統、工作臺上都要突破，其中唯一相對有把握一點的是雙工作臺了，像光源、光學系統把握還不大。

更重要的是，除了這三大核心，還有眾多的技術，前面已經提到過，ASML生產的EUV光刻機，包含了十萬個零部件，大量的零部件需要全球各領域的頂尖技術來支持。

所以要走的路還很遠，我不是要唱衰，而是提醒大家不要盲目樂觀，誤信了謠言，高精尖技術的研發，從來都是一場漫長的征途，沒有捷徑可走，尤其那些所謂的顛覆式的創新，一下子就突破了的沸騰消息，很多時候就是假的。