清華團(tuán)隊(duì)芯片大突破：全新光電架構(gòu)，180nm比7nm還強(qiáng)，功耗低400萬倍

眾所周知，由于美國的打壓，中國芯是在持續(xù)不斷的突破。

但大家也才都清楚，在當(dāng)前摩爾定律已經(jīng)見頂，臺積電、三星等領(lǐng)先很多，而芯片制造技術(shù)離不開EUV光刻機(jī)，ASML的EUV光刻機(jī)又不準(zhǔn)賣，并且連浸潤式光刻機(jī)都受限了，在這樣嚴(yán)峻的情況之下，突破成本越來越高，難度越來越大。

正如張忠謀所言，半導(dǎo)體的全球化已死，我們要突破，就得重建整個(gè)供應(yīng)鏈，這個(gè)難度確實(shí)很大，同時(shí)需要漫長的時(shí)間，非一朝一夕之功。

所以很多研究團(tuán)隊(duì)，就想著換道超車，或者彎道超車，這樣繞開被專利、技術(shù)封鎖的方向，找出一條新的道路來。

比如之前的碳基芯片、光芯片、量子芯片等，就是這樣，繞開目前的硅基芯片、EUV光刻機(jī)等被高度壟斷的方向。

而近日，清華大學(xué)有研究團(tuán)隊(duì)，就找到了一個(gè)新的方向，那就是光電模擬芯片。

這個(gè)方向由清華大學(xué)自動化系（戴瓊海院士、吳嘉敏助理教授）與電子工程系（方璐副教授、喬飛副研究員）聯(lián)合攻克。

這種技術(shù)基于光電深度融合計(jì)算框架，將光芯片與電芯片結(jié)合，在一枚芯片上突破大規(guī)模計(jì)算單元集成、高效非線性、高速光電接口三個(gè)國際難題。

它到底有多強(qiáng)？先說性能方面，算力達(dá)到目前高性能商用芯片的三千余倍，實(shí)驗(yàn)中，電路部分僅采用180nm CMOS工藝，已取得比7納米制程的高性能芯片多個(gè)數(shù)量級的性能提升。

再說功耗部分，原本供現(xiàn)有芯片工作一小時(shí)的電量，可供它工作五百多年，系統(tǒng)級能效是現(xiàn)有高性能芯片的四百萬余倍。

在成本方面，其所使用的材料簡單易得，造價(jià)僅為普通硅基芯片的幾十分之一。

這種芯片，一經(jīng)量產(chǎn)，肯定就是王炸，將徹底顛覆現(xiàn)有的半導(dǎo)體行業(yè)，而其相關(guān)成果，已發(fā)表在《自然》期刊上。

不過大家都清楚，任何技術(shù)從提出到量產(chǎn)，最后應(yīng)用于實(shí)際場景之中，會是一個(gè)比較漫長的過程，而現(xiàn)在這項(xiàng)技術(shù)還只是在實(shí)驗(yàn)室，更多的還是研究階段，至于落地應(yīng)用要多久，還不清楚。

接下來希望這一技術(shù)趕緊落地使用，那么芯片產(chǎn)業(yè)將徹底被顛覆，我們也不用怕被卡脖子了，甚至當(dāng)我們領(lǐng)先后，都有可能去卡美國脖子。