7nm芯片，不用EUV光刻機一樣造，這就是我們的能力和底氣？

2023-11-03 來源：科技專家

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不知道從什么時候起，很多人認(rèn)為制造7nm芯片，必須要有EUV光刻機，而一旦得不到EUV光刻機，最多就是10nm，進入不了7nm。

但不曾想，前段時間遙遙領(lǐng)先品牌，搞出了一顆等效于7nm的芯片，其晶體管密度達(dá)到了98MTr/mm2，也就是9800萬個每平方毫米，等效于臺積電、三星的7nm工藝。

一時之間，網(wǎng)友們都沸騰了，不僅國內(nèi)的網(wǎng)友沸騰了，連海外媒體也沸騰了，天天拆解這款手機，分析這顆芯片，最后得出的結(jié)論是，沒有EUV光刻機的痕跡。

這就證明了，它不是EUV光刻機的產(chǎn)物，而看到這個結(jié)果，估計ASML也是松了口氣，因為一旦有EUV光刻機的痕跡，只怕ASML跳進黃河也洗不清了，因為全球只有他能夠生產(chǎn)，而美國不準(zhǔn)他賣到中國大陸來的，他怎么敢背這個鍋。

然后，大家就又猜測，那么沒有EUV光刻機，7nm芯片又是怎么來的呢？

事實上，通過浸潤式光刻機，經(jīng)過多次曝光，完全可以實現(xiàn)7nm工藝。而多重曝光方式，甚至有LELE、LFLE、SADP等多種方式。

只不過與采用EUV光刻機相比，多重曝光方式意味著工藝更復(fù)雜，良率會降低，效率會降低，成本會提高而已，當(dāng)沒有辦法時，那也不得不用。

之前臺積電的第一代N7工藝，就是使用的浸潤式光刻機生產(chǎn)的，比如蘋果的A12、華為海思980，均是浸潤式光刻機下的7nm產(chǎn)物。臺積電直到第二代N7工藝，才導(dǎo)入EUV光刻機，在當(dāng)初的時候，臺積電還會強調(diào)，這是EUV 7nm工藝，與非EUV工藝進行區(qū)分。

而使用浸潤式光刻機，能夠制造出7nm芯片，也是我們的底氣，因為浸潤式光刻機，目前國內(nèi)并不少，這么多年購買下來，產(chǎn)能非常大，毫不擔(dān)心封禁。

何況按照媒體的說法，目前國內(nèi)自研的浸潤式光刻機，也快要來了，所以這就是我們的底氣和能力。