國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)技術(shù)的長(zhǎng)處與短處：技術(shù)突破的實(shí)力有，差的是時(shí)間

根據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，市場(chǎng)內(nèi)部人士透露，隨著中國(guó)大陸加大對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的支持力度，過(guò)去幾年已經(jīng)有了長(zhǎng)足的進(jìn)步，在 NAND 閃存方面，和三星、SK 海力士等全球領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距縮短到 2 年。

該業(yè)內(nèi)人士指出：“雖然 DRAM 依然保持 5 年以上的技術(shù)差距，不過(guò)由于 NAND 技術(shù)壁壘較低，中國(guó)企業(yè)在大力扶持下快速追趕，不斷縮小差距。中國(guó)企業(yè)的 NAND 產(chǎn)品雖然在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力上還存在不足，但顯然加快了追趕速度”。

報(bào)道中特別提及了長(zhǎng)江存儲(chǔ)，該公司在 2022 年閃存峰會(huì)（FMS）上，正式發(fā)布了基于晶棧 3.0（Xtacking 3.0）架構(gòu)的第四代 3D TLC NAND 閃存芯片，名為 X3-9070。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布從 176 層到 232 層量產(chǎn)之后，遭到了外界的諸多質(zhì)疑，不過(guò)該公司用了不到 1 年的時(shí)間，成功量產(chǎn) X3-9070。

除了用于致態(tài) TiPlus7100 系列 SSD，還被用在海康威視的 CC700 2TB SSD 上，這是首個(gè)進(jìn)入零售市場(chǎng)的 200 + 層 3D NAND 閃存解決方案，領(lǐng)先于三星、美光、SK 海力士等廠(chǎng)商。

報(bào)道中還指出，隨著半導(dǎo)體電路的小型化接近極限，中國(guó)企業(yè)正抓住先進(jìn)封裝（Efficient packaging）這個(gè)機(jī)會(huì)，進(jìn)一步縮小技術(shù)差距。

在半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)，先進(jìn)封裝主要封裝多個(gè)芯片，從而提高性能，被認(rèn)為是克服挑戰(zhàn)的關(guān)鍵。

中國(guó)大陸在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域占有第二大市場(chǎng)份額，IT之家援引市場(chǎng)研究公司 IDC 的數(shù)據(jù)，去年長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技三家公司進(jìn)入全球前 10 大半導(dǎo)體封裝（OSAT）公司，而韓國(guó)沒(méi)有一間公司出現(xiàn)在榜單上。


NAND閃存已經(jīng)發(fā)明36年

NAND閃存在當(dāng)今社會(huì)中已隨處可見(jiàn)，無(wú)論是在PC還是智能手機(jī)，或者其他日常生活中的各種電子產(chǎn)品。改變世界的NAND閃存來(lái)自于日本，東芝作為發(fā)明者于1987年推出了全球首個(gè)NAND閃存芯片，至今已有36年了。鎧俠（Kioxia）是東芝原業(yè)務(wù)的繼承者，目前仍是世界上最具規(guī)模的NAND閃存芯片生產(chǎn)商之一。

如果將時(shí)間撥回到1987年，或許很難想象NAND閃存會(huì)得到如此廣泛的應(yīng)用，對(duì)世界科技發(fā)展有如此深刻的影響。經(jīng)過(guò)了35年的發(fā)展，NAND閃存的規(guī)模已達(dá)到了700億美元。芯片存儲(chǔ)密度也從4Mb發(fā)展到了1.33Tb，增長(zhǎng)了333000倍。NAND閃存的出現(xiàn)，使得不少電子產(chǎn)品最終得到了普及，從早期的數(shù)碼相機(jī)、條形碼掃描儀和個(gè)人數(shù)字助理（PDA），到現(xiàn)今的智能手機(jī)、平板電腦、車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)和可穿戴設(shè)備等。若沒(méi)有NAND閃存，或許有些產(chǎn)品根本不會(huì)存在。

鎧俠美國(guó)公司高級(jí)副總裁兼首席營(yíng)銷(xiāo)官Scott Nelson表示，NAND閃存改變了游戲規(guī)則，并且經(jīng)受住了時(shí)間的考驗(yàn)。未來(lái)鎧俠還將引領(lǐng)前進(jìn)的道路，繼續(xù)投資和發(fā)展NAND閃存技術(shù)，使其存儲(chǔ)密度更高、成本更低，進(jìn)一步豐富生活中的各種應(yīng)用。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)全球領(lǐng)先

眾所周知，在3D NAND閃存領(lǐng)域，有三大巨頭，分別是三星、美光、SK海力士，這三大巨頭，差不多壟斷了全球的閃存市場(chǎng)。

不過(guò)2022年，中國(guó)大陸也有一家閃存廠(chǎng)商崛起了，那就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是全球第一家量232層堆疊的閃存廠(chǎng)商，比三星、SK海力士、美光還領(lǐng)先。

在3D NAND閃存領(lǐng)域，232層堆疊是一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，因?yàn)閷?duì)于3D NAND閃存而言，在工藝進(jìn)入16nm后，就無(wú)法再一味的進(jìn)行平面的工藝微縮了，比如提升到14nm、12nm等，這會(huì)導(dǎo)致閃存非常不穩(wěn)定。

所以為了提升存儲(chǔ)密度，大家是通過(guò)3D堆疊，即上下多層堆疊技術(shù)，而232層堆疊，即實(shí)現(xiàn)了232層堆疊，后續(xù)還會(huì)有更高的層數(shù)。

而評(píng)價(jià)存儲(chǔ)芯片的性能指標(biāo)，有幾個(gè)參數(shù)，比如穩(wěn)定性、讀取速度，存儲(chǔ)密度等。

近日，知名的芯片分析機(jī)構(gòu)TechInsights，對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）、三星、SK海力士和美光最新的NAND Flash閃存芯片進(jìn)行了比較，想要看看誰(shuí)的存儲(chǔ)密度更高。

先說(shuō)三星，目前三星176層3D NAND的存儲(chǔ)密度是10.87Gb/mm2，而三星的到232/238層的閃存，還沒(méi)量產(chǎn)

再說(shuō)SK海力士，目前其176層的存儲(chǔ)密度為11.01 Gb/mm2，而232層的閃存還沒(méi)量產(chǎn)，所以數(shù)據(jù)未知。

美光的176層產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度為10.27 Gb/mm2，而其最新量產(chǎn)的232層芯片位元密度則為14.60 Gb/mm2。

最后再說(shuō)說(shuō)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)品，按照TechInsights的測(cè)量，232層的產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到了15.03Gb/mm2，為目前最高的密度。

存儲(chǔ)密度越高，意味著成本越低，因?yàn)榭梢栽谕瑯哟笮〉墓杈A片內(nèi)，實(shí)現(xiàn)更大的容量，這也代表著技術(shù)的先進(jìn)性。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片利基市場(chǎng)

目前，無(wú)論是DRAM還是NAND Flash市場(chǎng)，都呈現(xiàn)出海外企業(yè)寡頭壟斷的格局。我國(guó)的大部分廠(chǎng)商仍在與國(guó)際龍頭企業(yè)進(jìn)行錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)，主要聚焦在利基型市場(chǎng)。

早期全球領(lǐng)先的企業(yè)如三星、海力士和美光通過(guò)大量資本投入進(jìn)入了DRAM存儲(chǔ)器領(lǐng)域，并逐步積累了顯著的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。當(dāng)前全球DRAM晶圓市場(chǎng)目前主要由這三家企業(yè)主導(dǎo)。

據(jù)Omdia數(shù)據(jù)顯示，近十年來(lái)，以上三家DRAM晶圓原廠(chǎng)每年都需要投入數(shù)十億美元用于固定資產(chǎn)投資，且這一趨勢(shì)呈波動(dòng)式增長(zhǎng)。這充分表明，DRAM晶圓設(shè)計(jì)與制造行業(yè)有著相當(dāng)高的資本門(mén)檻。

國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈布局廠(chǎng)商中，兆易創(chuàng)新和北京君正這兩家企業(yè)都在布局DRAM和Flash市場(chǎng)。兆易創(chuàng)新是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)，其產(chǎn)品涵蓋了存儲(chǔ)器、微控制器和傳感器。北京君正則于2020年收購(gòu)了北京矽成100%的股權(quán)，其產(chǎn)品主要包括微處理器芯片、智能視頻芯片、存儲(chǔ)芯片和模擬與互聯(lián)芯片。此外，普冉股份是國(guó)內(nèi)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先芯片設(shè)計(jì)企業(yè)之一，其主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM。普冉股份憑借其獨(dú)特的SONOS工藝和40nm的領(lǐng)先制程，在中小容量領(lǐng)域具有突出的低功耗和高性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)。