華為、小鵬都用上碳化硅平臺(tái)，碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來黃金增長(zhǎng)期
11月28日下午，華為智選車體系下的首款轎車車型——智界S7迎來正式上市。新車一共分4個(gè)版本，官方指導(dǎo)價(jià)定在24.98萬~34.98萬區(qū)間。雖然是和奇瑞共同打造的新車，但智界S7本身的“含華量”還是超越了一般理解中的合作造車，它從平臺(tái)開始便應(yīng)用了來自大量華為體系的硬件。
三電部分，智界S7主打的是所謂“雙800”標(biāo)簽——DriveONE 800V高壓碳化硅動(dòng)力平臺(tái)+800km的續(xù)航（Max+版本，CLTC工況下），兼顧充電效率上限和長(zhǎng)距離行駛的自持力。
得益于“巨鯨”800V高壓電池平臺(tái)的使用，智界S7支持最快5分鐘補(bǔ)能200km、最快15分鐘補(bǔ)能420km的高倍率閃充——雖然看起來還是沒加油那么方便，但解決燃眉之急總夠用了。
關(guān)于電池包，智界S7采用了臥式高壓盒設(shè)計(jì)，一方面追求高集成度和簡(jiǎn)化線束（意味著更少的故障發(fā)生位置），另一方面則追求更低的整包厚度——后者顯然有利于為駕駛艙騰出更多縱向空間。當(dāng)然，其他對(duì)手們?cè)缫褬?biāo)配的BMS預(yù)警、電芯主動(dòng)冷卻、電池組/整包物理防護(hù)加強(qiáng)等等，智界S7實(shí)際上也都沒落下。
從義烏小商品城的廉價(jià)珠寶到網(wǎng)紅半導(dǎo)體材料
一個(gè)是黑乎乎的碳化硅材料，一個(gè)是耀眼的鉆石，你怎么也無法將二者聯(lián)系在一起吧！
碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料在電阻爐內(nèi)經(jīng)高溫冶煉而成。碳化硅是一種半導(dǎo)體材料，是制造光電子器件、高頻微波器件、大功率電力電子器件、高溫電子器件理想的必備材料，它廣泛應(yīng)用于大功率白光照明、雷達(dá)通訊、軌道交通、電力轉(zhuǎn)換、航天航空、高溫輻射環(huán)境等行業(yè)。”
偶然之間一種被稱為“莫桑鉆”的飾品從碳化硅材料的廢料中挑選出來，經(jīng)過精雕細(xì)琢，加工成了鉆戒等珠寶飾品。
莫桑石成分為100%SiC，和碳化硅是同一種東西。天然莫桑石在自然界中十分稀有，只能形成于極端環(huán)境，如隕石、地幔巖石中。所以人們生活中能見到的莫桑石，基本上都是人工合成的。
莫桑石又名合成莫桑鉆或合成碳硅石，其物理特性與鉆石非常接近。莫桑石質(zhì)地呈透明至不透明狀態(tài)，表面呈玻璃光澤，火彩更是鉆石的2.5倍，看上去要比鉆石更加閃亮，可以說莫桑石是鉆石絕佳的替代品。
今天我們看到的莫桑石，其實(shí)就是從碳化硅單晶材料的廢料中而來的，由于碳化硅材料的物理性質(zhì)與鉆石非常相似，對(duì)廢料進(jìn)行深加工，便有了莫桑鉆。
國(guó)內(nèi)企業(yè)加速8英寸襯底布局
化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)對(duì)國(guó)內(nèi)主流SiC企業(yè)的8英寸襯底進(jìn)度進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)，除了三安光電之外，目前國(guó)內(nèi)在研發(fā)8英寸襯底的企業(yè)及機(jī)構(gòu)還有爍科晶體、晶盛機(jī)電、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學(xué)、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體等。其中爍科晶體、天科合達(dá)以及晶盛機(jī)電相對(duì)來說進(jìn)度比較快。
襯底之外，外延企業(yè)也在加速建設(shè)8英寸產(chǎn)能，東莞天域計(jì)劃購(gòu)置94.7 畝地用于建設(shè)SiC外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，用于SiC外延關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)及全球首條8英寸SiC外延晶片生產(chǎn)線的建設(shè)。此外，瀚天天成位于同翔高新城的SiC產(chǎn)業(yè)園的三期項(xiàng)目也極有可能是定位8英寸SiC外延，這兩家企業(yè)目前都在IPO階段。
總體而言，隨著三安光電8英寸襯底的發(fā)布，SiC市場(chǎng)會(huì)越來越熱鬧，競(jìng)爭(zhēng)也會(huì)越來越激烈，從長(zhǎng)期來看，這有助于產(chǎn)業(yè)整體的發(fā)展，至于最后哪些企業(yè)能夠突圍而出，這個(gè)只能騎驢看唱本。
碳化硅迎來黃金增長(zhǎng)期
當(dāng)我們談?wù)摰教蓟钑r(shí)，不得不提其兩大類別——單晶碳化硅和碳化硅陶瓷。單晶碳化硅因其出色的熱導(dǎo)率和電子遷移率，在高功率、高頻率的電子器件中具有無可比擬的優(yōu)勢(shì)。而碳化硅陶瓷則以其耐蝕性和抗氧化性，在極端環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事裝備等諸多要求苛刻的領(lǐng)域。
走進(jìn)實(shí)際應(yīng)用，新能源汽車正是碳化硅發(fā)揮巨大作用的一個(gè)絕佳例證。隨著全球范圍內(nèi)對(duì)環(huán)保與效率要求日益嚴(yán)格，傳統(tǒng)硅基IGBT逐漸顯露出其功耗和體積上的局限。而采用SiC基材料制成的MOSFET，則以更小型、更節(jié)能、更持久穩(wěn)定著稱，有效延長(zhǎng)了電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程，并提升了整車性能。
此外，在軌道交通中，SiC也被運(yùn)用于牽引系統(tǒng)中。它使得整個(gè)系統(tǒng)更加輕便高效，為快速列車提供了強(qiáng)有力支持。同時(shí)，在太陽(yáng)光伏發(fā)電領(lǐng)域中，SiC作為逆變器關(guān)鍵材料之一，有效提升了轉(zhuǎn)換效率，并降低了成本。
市場(chǎng)上對(duì)于這種“黑金”材料的需求正在爆發(fā)式增長(zhǎng)。從企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)到資本投入無不顯示出市場(chǎng)對(duì)SiC潛力的肯定與期待。據(jù)《中國(guó)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報(bào)告》顯示，該行業(yè)將迎來黃金增長(zhǎng)期。
