芯片巨頭官宣重組，重點發展碳化硅產業！國內外瞧中這條好賽道
芯片巨頭“意法半導體”（ST）宣布即將進行重組，該重組將于2024年2月5日生效。據悉，通過此次重組，該公司將從三個產品部門過渡到兩個產品部門（APMS和MDRF），且ST前汽車和分立產品集團總裁Marco Monti也將離開公司。
其中，模擬、電源和分立器件、MEMS 和傳感器 (APMS)，該部門將由ST總裁兼執行委員會成員Marco Cassis的領導，合并了ST的模擬產品，包括汽車智能電源解決方案、電源和分立產品線（包括碳化硅產品），以及MEMS和傳感器。APMS將具有兩個可報告細分市場：模擬產品、MEMS和傳感器；電源和分立產品。
微控制器、數字IC和RF產品(MDRF)，該小組由ST總裁兼執行委員會成員Remi El-Ouazzane領導，涵蓋ST的數字IC、MCU（包括汽車MCU）、RF、ADAS和信息娛樂IC。MDRF將由兩個可報告細分市場組成：MCU；以及數字IC和射頻產品。
除了這些產品組的變化之外，意法半導體還計劃在其所有區域細分市場的終端市場實施新穎的應用營銷組織，迎合汽車、工業電子和能源、工業自動化及物聯網和人工智能、個人電子產品、通信設備和計算機外圍設備等四個主要終端市場。ST總裁兼執行委員會成員Jerome Roux將監督該舉措。
意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示，此次組織架構改革符合意法半導體加快上市時間、加強產品開發創新和提高運營效率的承諾。
值得注意的是，2023年12月22日，意法半導體官微宣布，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協議。按照協議,意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。據介紹，理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅逆變器中采用意法半導體的第三代1200V SiC MOSFET技術。
碳化硅下游增長點：汽車、工業市場
意法半導體曾透露未來發展目標，在2025年至2027年間，成為營收200億美元+的公司。目前，意法半導體的策略是布局四個終端市場，其中汽車和工業市場是最快的增長點。
“工業市場是一個高度多元化的市場，不同細分市場具不同的需求。目前，意法半導體已經確定了40多個細分市場，并在這些細分市場上部署了20,000多種產品。”意法半導體銷售&市場總裁 Jerome Roux在2023年意法半導體工業峰會上曾表示，從較高的層面來看，我們可以將工業市場正在發生的變化視為長期變革。
在汽車方面，意法半導體表示，碳化硅技術主要應用在電動汽車領域，特別在牽引逆變器的應用上。碳化硅材料的應用可使整個續航里程能夠提升16%——20%。除此之外，碳化硅技術還可以賦能充電樁基礎建設。
受益于新能源汽車等下游應用市場的強勁需求，碳化硅正處于高速成長期，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。
未來SiC襯底價格將持續下探
8英寸襯底為未來SiC行業重點發展趨勢。由于SiC襯底制備難度大且良率較低，造成SiC器件成本明顯高于Si產品， 隨著襯底尺寸增大，可集成的芯片單位總數就越大，根據Wolfspeed數據，8英寸SiC襯底相較于6英寸可制備32mm2 芯片的總數將提升89%，邊緣浪費將由14%降低至7%。同時，根據GTAT公司預測，相較于6英寸平臺，8英寸襯底的 引入將使SiC器件成本降低20%-35%。展望未來，隨著8英寸SiC生產工藝優化改良以及生產設備配套更新，疊加相關 產能的不斷提升，未來SiC襯底價格將逐步下探。
2026年全球導電型SiC襯底市場規模將達16億美元。2019年全球導電型SiC襯底市場規模達2.3億美元，受新能源汽車 等下游領域的持續景氣，預計2026年將增長至16.2億美元，2019-2026年年復合增長率達32%。
2026年全球半絕緣型SiC襯底市場規模將達4億美元。2019年全球半絕緣型SiC襯底市場規模達1.5億美元，受益于5G 滲透加速以及全球地緣政治動蕩，預計2026年將增長至4.3億美元，2019-2026年年復合增長率達16%。
本土碳化硅供應商份額增長空間大
國內碳化硅產業近年來發展神速，首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產以及8英寸襯底的研發進度大幅拉近了與海外領先玩家的差距，另一方面是產能擴張上的投入越來越大。這使得國內在全球碳化硅產業中，無論是從市場需求，還是產業鏈上游的產能、技術上都處于重要地位。
此前麥肯錫的報告中顯示，中國碳化硅市場上，80%的襯底/晶圓以及95%以上的器件來自海外供應商。但考慮到地緣政治以及供應穩定，中國汽車OEM正在加速尋求本土供應商，預計到2030年，中國汽車OEM廠商將廣泛轉向本地供應商采購，從目前的約15%提高到約60%。
